[发明专利]三维电容在审
| 申请号： | 202010658461.3 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111864064A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张卫;刘子玉;陈琳;孙清清 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 曹寒梅 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 电容 | ||
1.一种三维电容，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底中的通孔；
位于所述通孔的内壁和所述衬底的表面上的图形化的第一电极层，所述第一电极层包括由二维材料形成的电极层；
位于所述第一电极层上的绝缘介质层；以及
位于所述绝缘介质层上的第二电极层。
2.根据权利要求1所述的三维电容，其特征在于，所述衬底为高阻硅衬底、玻璃衬底和有机基板衬底中的一者。
3.根据权利要求1所述的三维电容，其特征在于，所述二维材料为纳米薄膜材料、超晶格材料和量子阱材料中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的三维电容，其特征在于，所述绝缘介质层由SiO2/SiN、HfO2、TiO2或PbZr0.52Ti0.48O3形成。
5.根据权利要求1所述的三维电容，其特征在于，所述第一电极层还包括金属粘附层，所述金属粘附层位于所述由二维材料形成的电极层的下方。
6.根据权利要求5所述的三维电容，其特征在于，所述金属粘附层由TiN、TiW/Cu或Cr/Ni形成。
7.根据权利要求1所述的三维电容，其特征在于，所述绝缘介质层和所述第二电极层与所述第一电极层同形。
8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的三维电容，其特征在于，所述三维电容还包括位于所述通孔的内壁和所述衬底的表面上的绝缘层，所述绝缘层位于所述第一电极层的下方。
9.根据权利要求8所述的三维电容，其特征在于，所述绝缘层由SiO2/SiN或SiO2形成。
10.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的三维电容，其特征在于，所述通孔的中心中形成有用于三维互连的互连层。
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