[发明专利]多射束描绘方法以及多射束描绘装置

说明书

本发明涉及多射束描绘方法及多射束描绘装置。本发明的一个方式的多射束描绘方法，进行基于射束偏转的第k次(k为自然数)的追踪控制，以使多射束的各射束统一并追随于工作台的移动，在进行第k次的追踪控制的同时，在各射束分别对应的以射束间间距尺寸包围的矩形的照射区域内，一边进行同时移位，一边进行多次束发射，在第k次的跟踪控制期间经过后，使跟踪位置返回到对第k次的跟踪控制开始的跟踪开始位置进一步附加了射束间间距尺寸的整数倍的偏移后的位置，作为第k+1次的跟踪控制的开始位置。

技术领域

本发明涉及多射束描绘方法以及多射束描绘装置，例如涉及减少多射束描绘中的基于缺陷射束的图像劣化的方法。

背景技术

近年来，伴随着LSI的高集成化，半导体器件的电路线宽进一步微细化。用于在这些半导体器件上形成电路图案的曝光用掩模(也称为中间掩模)的方法，使用具有优异的分辨率的电子束(EB：Electron beam)描绘技术。

例如，有使用多射束的描绘装置。与利用1根电子束进行描绘的情况相比，通过使用多射束能够一次(1次发射)照射较多的射束，因此能够大幅提高吞吐量。在该多射束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪放出的电子束通过具有多个孔的掩模而形成多射束，分别被消隐控制，未被遮蔽的各射束被光学系统缩小，并被偏转器偏转后向试样上的期望的位置照射。

在此，以往，通过将试样面上的描绘区域以射束尺寸划分为多个网格区域来定义像素。然后，在对于配置于恒速行驶的工作台上的试样照射各发射中的多射束的过程中，一边进行各射束追随工作台移动的跟踪动作以避免各射束的照射对象像素由于工作台的移动而偏移，一边以各射束进行向多个像素的射束照射(例如，参照日本特开2017-073461号公报)。然后，当1次的跟踪控制结束时，将跟踪动作复位而使各射束回摆，使偏转位置偏移到与已经照射的像素相邻的像素偏移后，同样地，一边进行跟踪动作，一边进行各射束的照射。

在此，有时在多射束中混合存在不能控制照射时间的多个缺陷射束。在使用该多射束进行描绘处理的情况下，例如，当使跟踪动作复位时的射束的回摆量(距离)与多个缺陷射束间的距离一致时，例如存在相邻的像素列彼此被该多个缺陷射束照射的问题。进而，在多个缺陷射束以规定的周期产生的情况下，如果该多个缺陷射束的产生周期的整数倍的值与射束的回摆量一致，则被射束间间距包围的相同的小区域内的多个像素会被该多个缺陷射束照射。在该情况下，在该小区域内描绘的图案的精度变差。因此，即使在多射束内产生多个缺陷射束的情况下，也希望减少在各小区域内被缺陷射束照射的像素数。

发明内容

本发明提供一种多射束描绘方法及多射束描绘装置，在将跟踪动作复位时的射束的回摆量(距离)与多个缺陷射束间的距离一致的情况下，能够减少在各小区域内被缺陷射束照射的像素数。

本发明的一个方式的多射束描绘方法，

进行基于射束偏转的第k次(k为自然数)的跟踪控制，以将多射束的各射束统一并追随于工作台的移动，

在进行第k次的跟踪控制同时，在各射束分别对应的以射束间间距尺寸包围的矩形的照射区域内，一边进行同时移位，一边进行多次射束发射，

在第k次的跟踪控制期间经过后，使跟踪位置返回到对第k次的跟踪控制开始的跟踪开始位置进一步附加了射束间间距尺寸的整数倍的偏移后的位置，作为第k+1次的跟踪控制的开始位置。

本发明的另一方式的多射束描绘方法，

进行基于使用偏转器的射束偏转的跟踪控制，以将多射束的各射束统一并追随于工作台的移动，

在进行所述跟踪控制的同时，在各射束分别对应的以射束间间距尺寸包围的矩形的照射区域内，一边进行同时移位，一边进行多次射束发射，