[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010661192.6 申请日: 2020-07-10
公开(公告)号: CN111584472A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 申小飞;曹永革;李英魁;麻朝阳;文子诚 申请(专利权)人: 松山湖材料实验室
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 付兴奇
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管,其特征在于,包括:

载体,具有基板、形成于所述基板的围坝,所述围坝与所述基板共同限定固晶区;

具有选定颜色的特征光的发光体,位于所述固晶区且固定于所述基板;

透镜,具有透明基材和分布于所述透明基材中的荧光粉,覆盖于所述载体,以将所述发光体封装于所述固晶区;

其中,所述发光体具有以线性方式排列的至少三个发光芯片构成的发光组;

其中,在所述至少三个发光芯片中,相邻两个所述发光芯片的发光波段彼此不重合。

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光体具有至少两个所述发光组,全部的所述发光组成排布置;

或者,所述发光体具有至少两个所述发光组,全部的所述发光组以相邻的两者等间距的方式成排布置。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管,其特征在于,所述发光体以蓝光为特征光,所述发光芯片具有发光波段为450至452.5纳米的第一类型芯片或发光波段为452.5至455纳米的第二类型芯片或发光波段为455至457.5纳米的第三类型芯片。

4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述基板具有下述之一项或多项限定:

第一限定、固着所述发光体的表面是反射镜面;

第二限定、所述基板是导热的;

第三限定、所述基板是铝材。

5.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述基板具有定位件。

6.根据权利要求5所述的发光二极管,其特征在于,所述基板具有贯穿设置的定位孔。

7.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述透明基材是硅胶。

8.一种制作发光二极管的方法,其特征在于,所述方法包括:

提供具有镜面且导热的基板;

在所述镜面以线性排列的方式间隔固着至少三个发光芯片,从而制作发光组,且在所述发光组中,相邻两个所述发光芯片的发光波段彼此不重合;

将发光组引出正极和负极;

在所述基板上设置围坝,以将所述发光组限制在所述围坝内;

利用含有荧光粉的胶体将所述发光组封装,从而形成透镜。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述利用含有荧光粉的胶体将所述发光组封装之前,所述方法包括:根据所述发光组中的全部发光芯片的发光波段的平均值选择对荧光粉进行选择。

10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述方法包括:

在所述镜面制作多个所述发光组,且使所述发光组在所述镜面成排布置,相邻两个所述发光组间隔给定距离。

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