[发明专利]非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺

权利要求书

1.非接触式薄膜水氧透过性能测试装置，其特征在于：包括Al₂O₃基板，在Al₂O₃基板上生长无掺杂的u-GaN缓冲层，所述u-GaN缓冲层上生长Si掺杂的n-GaN外延层，所述n-GaN外延层上生长In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层，所述In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层上依次蒸镀有机红光材料层和空穴传输层，所述空穴传输层设置有电极。

2.根据权利要求1所述的非接触式薄膜水氧透过性能测试装置，其特征在于：所述u-GaN缓冲层的生长温度为500-550℃，所述u-GaN缓冲层的厚度为5μm。

3.根据权利要求1所述的非接触式薄膜水氧透过性能测试装置，其特征在于：所述n-GaN外延层的生长温度为1200℃，所述n-GaN层的厚度为3μm。

4.根据权利要求1所述的非接触式薄膜水氧透过性能测试装置，其特征在于：所述In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层的生长温度为700-750℃，生长周期为8-9个周期，所述In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层的InGaN量子阱层厚度为3nm，所述In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层的GaN量子垒层厚度为11.5nm。

5.非接触式薄膜水氧透过性能测试装置的生产工艺，其特征在于：包括如下步骤，

(1)先在500～550℃的温度下于Al₂O₃基板上低温生长一层厚度约5μm的无掺杂的u-GaN；

(2)升温至约1200℃，生长厚度约3μm的Si掺杂的n-GaN外延层；

(3)再将温度降至700～750℃，生长8～9个周期的In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层，其中InGaN量子阱层厚度约3nm，GaN量子垒层厚度约11.5nm，最后再经高温退火炉在～1000℃下进行退火处理，得到蓝光LED基板；

(4)将需要蒸镀在蓝光LED基板上的各种药品放在蒸镀舱的舟源或坩埚源上，将处理好的蓝光LED基板放入蒸镀舱中的掩膜版上，关紧蒸镀室舱门并抽真空，当蒸镀舱内真空度达到10-5mbar以下时开始蒸镀，蒸镀前对蒸镀材料对应的舟源或坩埚源进行预热，达到一定温度和合适速率后开始蒸镀，控制电流使得有机物的的蒸镀速率在根据这个步骤依次在蓝光LED基板上蒸镀一层有机红光材料和一层MoO₃作为器件的空穴传输层；

(5)蒸镀好各个有机层后，蒸镀一层Al作为该器件的电极，并控制Al的蒸镀速率在蒸镀300nm；

(6)对上述蒸镀好的有机材料层和金属电极进行封装，完成封装后得到完整的发光器件。