[发明专利]非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺

说明书

本发明提供一种非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺，包括Al₂O₃基板，在Al₂O₃基板上生长无掺杂的u‑GaN缓冲层，所述u‑GaN缓冲层上生长Si掺杂的n‑GaN外延层，所述n‑GaN外延层上生长In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层，所述In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层上依次蒸镀有机红光材料层和空穴传输层，所述空穴传输层设置有电极，本发明提供了一种精度高的非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺。

技术领域

本发明涉及水氧检测设备技术领域，具体为非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺。

背景技术

红外传感器水汽透过率法测试原理，将制备好的样品夹于测试腔中，有一定相对湿度的氮气在薄膜的一侧流动，干燥氮气在薄膜的另一侧流动；在湿度梯度的推动下，水蒸气会从高湿侧穿过薄膜扩散到低湿侧；在低湿侧，透过的水蒸气被流动的干燥氮气送至红外传感器，进入传感器时会产生同比例的电信号，通过对传感器电信号的分析计算，从而得出试样的水蒸气透过率等参数，但是这一方法测试WVTR的范围最低只有10-2-10-3g/m2/24h，对于OLED器件来说，水汽透过率很大程度上决定其寿命，精确度更高的测量方法格外重要，一般需要达到10-6g/m2/24h，上述的红外传感器的无法满足OLED器件测试的需求，因此需要采用更精确的WVTR测试方法检测薄膜封装的效果。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种精度高的非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺，解决了上述背景技术中提出的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：非接触式薄膜水氧透过性能测试装置，包括Al₂O₃基板，在Al₂O₃基板上生长无掺杂的u-GaN缓冲层，所述u-GaN缓冲层上生长Si掺杂的n-GaN外延层，所述n-GaN外延层上生长In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层，所述In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层上依次蒸镀有机红光材料层和空穴传输层，所述空穴传输层设置有电极。

进一步的，所述u-GaN缓冲层的生长温度为500-550℃，所述u-GaN缓冲层的厚度为5μm。

进一步的，所述n-GaN外延层的生长温度为1200℃，所述n-GaN层的厚度为3μm。

进一步的，所述In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层的生长温度为700-750℃，生长周期为8-9个周期，所述In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层的InGaN量子阱层厚度为3nm，所述In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层的GaN量子垒层厚度为11.5nm。

非接触式薄膜水氧透过性能测试装置的生产工艺，包括如下步骤，

(1)先在500～550℃的温度下于Al₂O₃基板上低温生长一层厚度约5μm的无掺杂的u-GaN；

(2)升温至约1200℃，生长厚度约3μm的Si掺杂的n-GaN外延层；