[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成牺牲层；

在所述衬底上定义核心区和字线连接区，在所述核心区的牺牲层上形成堆叠层和垂直穿过所述堆叠层的沟道结构，其中所述沟道结构具有存储器层和被所述存储器层围绕的导电部，所述导电部到达所述牺牲层；

形成垂直穿过所述堆叠层而到达所述牺牲层的栅线隙；

去除所述牺牲层，露出所述存储器层在所述牺牲层的部分的侧壁，在所述堆叠层与所述衬底之间形成间隙；

去除所述存储器层在所述间隙中的部分，露出所述导电部的至少一部分；

在所述间隙中填充导电层，所述导电层接触所述导电部；

在所述栅线隙中填充绝缘层；

在未覆盖所述堆叠层的字线连接区形成导电接触；以及

在所述衬底背面形成连接层，所述连接层连接所述衬底或所述导电层，且连接所述导电接触。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成牺牲层之后还包括在所述牺牲层上形成第一金属层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述导电层中形成导电触点，其中所述连接层连接所述导电触点。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述导电触点位于在所述导电层中对应于所述栅线隙的位置。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述牺牲层之前还包括在所述栅线隙侧壁形成间隔层。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述牺牲层为含硅材料层，其中所述第一金属层与所述含硅材料层中的硅反应形成金属硅化物层。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述导电层为含硅导电层，其中在所述导电层中形成所述导电触点的步骤包括：在所述导电层中形成第二金属层，所述第二金属层与所述含硅导电层中的硅反应形成金属硅化物层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括对所述衬底和所述导电层进行相反类型的掺杂。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底背面形成连接层之前还包括：将所述堆叠层与另一器件键合。

10.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述衬底背面形成连接层的步骤包括：

在所述衬底背面形成保护层，且从所述衬底背面形成暴露所述导电接触的第一通孔和暴露所述导电触点的第二通孔；

在所述保护层中形成连通所述第一通孔和所述第二通孔的凹槽；以及

在所述凹槽中形成所述连接层。

11.一种三维存储器，包括：

衬底，所述衬底定义核心区和字线连接区；

位于所述衬底上的导电层；

位于所述导电层上的堆叠层，所述堆叠层包括间隔的栅极层；

垂直穿过所述堆叠层且到达所述衬底的沟道结构，所述沟道结构包括导电部，其中所述导电部位于所述导电层的部分从所述沟道结构的侧面露出，从而与所述导电层接触；

垂直穿过所述堆叠层而到达所述导电层的栅线隙，所述栅线隙中填充有绝缘层；

位于所述字线连接区且到达所述衬底的导电接触；以及

位于衬底背面的连接层，所述连接层连接所述导电接触，且连接所述衬底或所述导电层。

12.如权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述堆叠层与所述导电层之间的金属硅化物层。

13.如权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述导电层的导电触点。

14.如权利要求13所述的三维存储器，其特征在于，所述导电触点位于所述导电层中对应于所述栅线隙的位置。