[发明专利]具有端口电压保护功能的推挽结构端口输出电路在审
申请号: | 202010662533.1 | 申请日: | 2020-07-10 |
公开(公告)号: | CN111786642A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 庄志伟;张军;竺际隆;费俊驰;庄健 | 申请(专利权)人: | 无锡英迪芯微电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/26 | 分类号: | H03F3/26;H03F1/52;H02H9/04 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 过顾佳;聂启新 |
地址: | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 端口 电压 保护 功能 结构 输出 电路 | ||
1.一种具有端口电压保护功能的推挽结构端口输出电路,其特征在于,所述推挽结构端口输出电路包括:第一PMOS管、第一NMOS管、二极管、第二PMOS管以及第二NMOS管;
所述第一PMOS管的衬底与源极相连并连接至电源,所述第一PMOS管的漏极连接所述二极管的阳极,所述二极管的阴极连接所述第一NMOS管的漏极,所述第一NMOS管的衬底和源极相连并连接至地,所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的栅极分别连接两个不同的控制信号端;
所述第一NMOS管与所述二极管的公共端连接所述第二PMOS管的衬底和源极,所述第二PMOS管的漏极连接到端口,所述第二PMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的衬底和源极相连并连接至地,所述第二NMOS管的栅极连接至所述电源。
2.根据权利要求1所述的推挽结构端口输出电路,其特征在于,所述推挽结构端口输出电路还包括第三NMOS管,所述第三NMOS管串联在所述第二PMOS管的栅极和源极之间,所述第三NMOS管的衬底与源极相连并连接至所述第二PMOS管的栅极,所述第三NMOS管的栅极与漏极相连并连接至所述第二PMOS管的源极。
3.根据权利要求2所述的推挽结构端口输出电路,其特征在于,所述推挽结构端口输出电路包括至少两个所述第三NMOS管,至少两个所述第三NMOS管依次串联并连接在所述第二PMOS管的栅极和源极之间,和/或,至少两个所述第三NMOS管相并联并连接在所述第二PMOS管的栅极和源极之间,至少两个所述第三NMOS管采用不同的串联和/或并联结构时形成不同的阈值电压。
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