[发明专利]封装结构和封装结构制造方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括转接板和芯片，所述转接板包括第一面和与其相对的第二面，所述转接板内部设有连通所述第一面和所述第二面的导通结构，所述芯片电性连接于所述转接板第一面，其特征在于，

所述封装结构还包括多个翘曲调整结构，所述翘曲调整结构以所述第一面的中心呈基本对称式分布；

所述翘曲调整结构包括翘曲调整件和/或内部填充有塑封料的空腔，所述翘曲调整件设于所述第一面上，所述空腔位于所述导通结构外侧，沿所述第一面向内凹陷。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述翘曲调整结构分布于所述转接板的四个角上和/或四条边上。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，当同时设有所述翘曲调整件和所述空腔时，所述所述翘曲调整件与所述空腔间隔分布或至少有部分所述翘曲调整件叠设于所述空腔上方。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，当所述翘曲调整件叠设于所述空腔上方时，所述翘曲调整件底面至少有部分相接于与所述空腔相邻的所述第一面，且所述翘曲调整件底面与所述第一面的接触面积大于其位于所述空腔开口上方的面积。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述翘曲调整件为叠层的复合结构，包括第一填充层和设于所述第一填充层上方的第二填充层，所述第一填充层所用材料为高分子复合材料或金属，所述第二填充层所用材料为硅或金属。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一填充层所用材料的热膨胀系数大于5ppm/K。

7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一填充层的厚度分别大于所述第二填充层和所述转接板的厚度。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述转接板内还设有去耦沟槽硅基电容17、晶体管、金属/绝缘/金属电容、重布线层中的一种或多种。

9.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供一基材，在所述基材内形成导通结构，并在所述基材第一面形成连接线路；

在所述基材上相邻转接板之间的区域形成翘曲调整结构，包括制作空腔和/或设置翘曲调整件，将芯片与所述连接线路键合连接；

塑封所述芯片；

将所述基材背面减薄露出所述导通结构，并形成连接于所述导通结构的电接触件，切割所述基材以形成单个封装体。

10.根据权利要求9所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述翘曲调整接结构的位置以所述转接板表面的中心呈基本对称式分布。

11.根据权利要求9所述的封装结构的制作方法，其特征在于，当同时设有所述翘曲调整件和所述空腔时，所述所述翘曲调整件与所述空腔间隔分布或至少有部分所述翘曲调整件叠设于所述空腔上方。

12.根据权利要求9所述的封装结构的制作方法，其特征在于，当所述翘曲调整件叠设于所述空腔上方时，所述翘曲调整件底面至少有部分相接于与所述空腔相邻的所述第一面，且所述翘曲调整件底面与所述第一面的接触面积大于其位于所述空腔开口上方的面积。

13.根据权利要求9所述的封装结构的制作方法，其特征在于，制作所述空腔具体包括：

在所述基材上相邻转接板之间的区域形成向下凹陷的所述空腔；

塑封所述芯片时，同时在所述空腔内填充所述塑封料。

14.根据权利要求9所述的封装结构的制作方法，其特征在于，设置所述翘曲调整件具体包括步骤：

制作翘曲调整件；

将所述翘曲调整件通过胶层或金属键合的方式连接在所述基材上相邻转接板之间的区域。