[发明专利]封装结构和封装结构制造方法

说明书

本发明提供一种封装结构，包括转接板、芯片和翘曲调整结构，所述转接板包括第一面和与其相对的第二面，所述转接板内部设有连通所述第一面和所述第二面的导通结构，所述芯片电性连接于所述转接板第一面；所述翘曲调整结构以所述第一面的中心呈基本对称式分布；所述翘曲调整结构包括翘曲调整件和/或内部填充有塑封料的空腔，所述翘曲调整件设于所述第一面上，所述空腔位于所述导通结构外侧，沿所述第一面向内凹陷。通过填充有塑封料的所述空腔和所述翘曲调整件的共同作用，能够同时减小所述转接板在水平方向和竖直方向上的翘曲。

技术领域

本发明涉及封装技术领域，具体地涉及一种封装结构和封装结构制造方法。

背景技术

目前，随着电子产品进一步向着集成化、微型化和智能化发展，传统的芯片封装结构已经不能满足其发展需要。通过转接板(或称中介层)实现多功能芯片系统级集成封装越来越受到关注。

然而，在利用转接板的封装结构中，由于硅材质的转接板和塑封料的热膨胀系数差距较大，在制程过程中，尤其是回流焊工艺中，两者的膨胀率不同会带来翘曲。特别是在当封装体比较大且芯片面积占比较小时，翘曲的问题更加明显，或者在封装体较薄时，严重的翘曲问题会显著降低封装结构的可靠性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种封装结构和封装结构制造方法。

本发明提供一种封装结构，包括转接板和芯片，所述转接板包括第一面和与其相对的第二面，所述转接板内部设有连通所述第一面和所述第二面的导通结构，所述芯片电性连接于所述转接板第一面；

所述封装结构还包括多个翘曲调整结构，所述翘曲调整结构以所述第一面的中心呈基本对称式分布；

所述翘曲调整结构包括翘曲调整件和/或内部填充有塑封料的空腔，所述翘曲调整件设于所述第一面上，所述空腔位于所述导通结构外侧，沿所述第一面向内凹陷。

作为本发明的进一步改进，所述翘曲调整结构分布于所述转接板的四个角上和/或四条边上。

作为本发明的进一步改进，当同时设有所述翘曲调整件和所述空腔时，所述所述翘曲调整件与所述空腔间隔分布或至少有部分所述翘曲调整件叠设于所述空腔上方。

作为本发明的进一步改进，当所述翘曲调整件叠设于所述空腔上方时，所述翘曲调整件底面至少有部分相接于与所述空腔相邻的所述第一面，且所述翘曲调整件底面与所述第一面的接触面积大于其位于所述空腔开口上方的面积。

作为本发明的进一步改进，所述翘曲调整件为叠层的复合结构，包括第一填充层和设于所述第一填充层上方的第二填充层，所述第一填充层所用材料为高分子复合材料或金属，所述第二填充层所用材料为硅或金属。

作为本发明的进一步改进，所述第一填充层所用材料的热膨胀系数大于5ppm/K。

作为本发明的进一步改进，所述第一填充层的厚度分别大于所述第二填充层和所述转接板的厚度。

作为本发明的进一步改进，所述转接板内还设有去耦沟槽硅基电容，和/或主动电路，和/或被动电路。

本发明还提供一种封装结构的制作方法，包括步骤：

提供一基材，在所述基材内形成导通结构，并在所述基材第一面形成连接线路；

在所述基材上相邻转接板之间的区域形成翘曲调整结构，包括制作空腔和/或设置翘曲调整件，将芯片与所述连接线路键合连接；

塑封所述芯片；

将所述基材背面减薄露出所述导通结构，并形成连接于所述导通结构的电接触件，切割所述基材以形成单个封装体。

作为本发明的进一步改进，所述翘曲调整接结构的位置以所述转接板表面的中心呈基本对称式分布。