[发明专利]多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备有效

专利信息
申请号: 202010663553.0 申请日: 2020-07-10
公开(公告)号: CN111983411B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 翟玉卫;郑世棋;李灏;丁晨;丁立强;韩伟;荆晓冬 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01J5/48
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 付晓娣
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 多指栅型 晶体管 测试 方法 装置 终端设备
【权利要求书】:

1.一种多指栅型晶体管热阻测试方法,其特征在于,包括:

获取多指栅型晶体管各个栅指的第一温升,并根据所述各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值;其中,所述多指栅型晶体管各个栅指的第一温升由显微红外热像仪测量得到;

获取多指栅型晶体管的平均温升;其中,所述多指栅型晶体管的平均温升是基于电学参数法对所述多指栅型晶体管进行结温测量得到的;

根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升;

基于所述各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻。

2.如权利要求1所述的多指栅型晶体管热阻测试方法,其特征在于,所述根据所述各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值,包括:

选取所述各个栅指的第一温升中的最大值,记为最高温升;

基于所述最高温升对各个栅指的第一温升进行归一化处理,得到各个栅指对应的温度权值。

3.如权利要求2所述的多指栅型晶体管热阻测试方法,其特征在于,所述基于所述最高温升对各个栅指的第一温升进行归一化处理,得到各个栅指对应的温度权值,包括:

其中,ΔTIi为第i个栅指的第一温升,ΔTImax为最高温升,wi为第i个栅指对应的温度权值。

4.如权利要求2所述的多指栅型晶体管热阻测试方法,其特征在于,所述根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升,包括:

根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定温升最高栅指的第二温升;其中,温升最高栅指为最高温升对应的栅指;

根据所述温升最高栅指的第二温升以及各个栅指对应的温度权值确定各个栅指的第二温升。

5.如权利要求4所述的多指栅型晶体管热阻测试方法,其特征在于,所述根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定温升最高栅指的第二温升的方法为:

其中,ΔTmax为温升最高栅指的第二温升,ΔTj为多指栅型晶体管的平均温升,wi为第i个栅指对应的温度权值,n为栅指数量。

6.如权利要求4所述的多指栅型晶体管热阻测试方法,其特征在于,所述根据所述温升最高栅指的第二温升以及各个栅指对应的温度权值确定各个栅指的第二温升的方法为:

ΔTi=wiΔTmax

其中,ΔTi为第i个栅指的第二温升,ΔTmax为温升最高栅指的第二温升,wi为第i个栅指对应的温度权值。

7.如权利要求1所述的多指栅型晶体管热阻测试方法,其特征在于,所述基于所述各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻,包括:

其中,Rθjxi为多指栅型晶体管第i个栅指在目标环境位置的热阻,ΔTi为第i个栅指的第二温升,Tx为目标环境位置的参考温度,PHi为多指栅型晶体管第i个栅指结温升高ΔTi所耗散的功率。

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