[发明专利]MEMS声传感器在审
| 申请号： | 202010664854.5 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111787474A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 赵转转;柏杨 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 深圳紫辰知识产权代理有限公司 44602 | 代理人： | 万鹏 |
| 地址： | 210093 江苏省南京市栖霞区仙林*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 传感器 | ||
1.一种MEMS声传感器，包括具有背腔的基底以及固定于所述基底的电容系统，所述电容系统包括振膜及与所述振膜相对且间隔设置的背极板，所述振膜和所述背极板之间形成绝缘间隙，其特征在于，所述背极板包括电极层及设于所述电极层朝向所述振膜一侧的第一绝缘层，所述背极板上贯穿设有通孔，所述通孔包括贯穿所述电极层的第一通孔和贯穿所述第一绝缘层的第二通孔，所述第二通孔靠近所述振膜一侧的孔径大于所述第一通孔的孔径。
2.根据权利要求1所述的MEMS声传感器，其特征在于，沿所述第一绝缘层至所述电极层方向，所述第二通孔的孔径逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的MEMS声传感器，其特征在于，在垂直于所述背极板的横截面上，所述第二通孔的内壁为弧面，且所述第二通孔的内壁的曲率中心位于其朝向所述振膜的一侧。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的MEMS声传感器，其特征在于，所述背极板还包括设于所述电极层背离所述振膜一侧的第二绝缘层，所述通孔还包括贯穿所述第二绝缘层的第三通孔。
5.根据权利要求4所述的MEMS声传感器，其特征在于，所述第三通孔的孔径小于所述第一通孔的孔径。
6.根据权利要求5所述的MEMS声传感器，其特征在于，沿所述电极层至所述第二绝缘层的方向，所述第三通孔的孔径逐渐减小。
7.根据权利要求5所述的MEMS声传感器，其特征在于，在垂直于所述背极板的横截面上，所述第三通孔的内壁为弧面，且所述第三通孔的内壁的曲率中心位于其背离所述第三通孔的轴线的一侧。
8.根据权利要求4所述的MEMS声传感器，其特征在于，所述第三通孔背离所述电极层一侧的孔径大于所述第一通孔的孔径。
9.根据权利要求8所述的MEMS声传感器，其特征在于，沿所述电极层至所述第一绝缘层的方向，所述第三通孔的孔径逐渐增大。
10.根据权利要求9所述的MEMS声传感器，其特征在于，在垂直于所述背极板的横截面上，所述第三通孔的内壁为弧面，所述第三通孔的内壁的曲率中心位于其内壁背离所述振膜的一侧。
11.根据权利要求4所述的MEMS声传感器，其特征在于，所述第一通孔与所述第二通孔相邻处的孔径相同，所述第一通孔和所述第三通孔相邻处的孔径相同。
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