[发明专利]MEMS声传感器

说明书

本发明提供了一种MEMS声传感器，其包括具有背腔的基底以及固定于所述基底的电容系统，所述电容系统包括振膜及与所述振膜相对且间隔设置的背极板，所述振膜和所述背极板之间形成绝缘间隙，所述背极板包括电极层及设于所述电极层朝向所述振膜一侧的第一绝缘层，所述背极板上贯穿设有通孔，所述通孔包括贯穿所述电极层的第一通孔和贯穿所述第一绝缘层的第二通孔，所述第二通孔靠近所述振膜一侧的孔径大于所述第一通孔的孔径。与相关技术相比，本发明的MEMS声传感器设计减小振膜阻尼的结构来提高信噪比。

【技术领域】

本发明涉及声电领域，尤其涉及一种MEMS声传感器。

【背景技术】

随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求己不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量，而作为麦克风的重要组成部件的MEMS声传感器显得尤为重要。

相关技术中的MEMS声传感器包括具有背腔的基底以及固定于基底的电容系统，电容系统包括振膜及与振膜相对且间隔设置的背极板，振膜和背极板之间形成绝缘间隙，当声压作用于振膜时，振膜朝向背极板和背离背极板的相对两侧存在压强差，使得振膜做靠近背极板或远离背极板的运动，从而引起振膜与背极板间电容的变化，实现声音信号到电信号的转换。然而，由于MEMS声传感器的信噪比受振膜阻尼的影响，相关技术中的MEMS声传感器的振膜因其阻尼过大，导致MEMS声传感器的信噪比的不理想。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种MEMS声传感器，该MEMS声传感器通过设计减小振膜阻尼的结构来提高信噪比。

为了达到上述目的，本发明提供了一种MEMS声传感器，包括具有背腔的基底以及固定于所述基底的电容系统，所述电容系统包括振膜及与所述振膜相对且间隔设置的背极板，所述振膜和所述背极板之间形成绝缘间隙，所述背极板包括电极层及设于所述电极层朝向所述振膜一侧的第一绝缘层，所述背极板上贯穿设有通孔，所述通孔包括贯穿所述电极层的第一通孔和贯穿所述第一绝缘层的第二通孔，所述第二通孔靠近所述振膜一侧的孔径大于所述第一通孔的孔径。

优选地，沿所述第一绝缘层至所述电极层方向，所述第二通孔的孔径逐渐减小。

优选地，在垂直于所述背极板的横截面上，所述第二通孔的内壁为弧面，且所述第二通孔的内壁的曲率中心位于其朝向所述振膜的一侧。

优选地，所述背极板还包括设于所述电极层背离所述振膜一侧的第二绝缘层，所述通孔还包括贯穿所述第二绝缘层的第三通孔。

优选地，所述第三通孔的孔径小于所述第一通孔的孔径。

优选地，沿所述电极层至所述第二绝缘层的方向，所述第三通孔的孔径逐渐减小。

优选地，在垂直于所述背极板的横截面上，所述第三通孔的内壁为弧面，且所述第三通孔的内壁的曲率中心位于其背离所述第三通孔的轴线的一侧。

优选地，所述第三通孔背离所述电极层一侧的孔径大于所述第一通孔的孔径。

优选地，沿所述电极层至所述第一绝缘层的方向，所述第三通孔的孔径逐渐增大。

优选地，在垂直于所述背极板的横截面上，所述第三通孔的内壁为弧面，所述第三通孔的内壁的曲率中心位于其内壁背离所述振膜的一侧。

优选地，所述第一通孔与所述第二通孔相邻处的孔径相同，所述第一通孔和所述第三通孔相邻处的孔径相同。