[发明专利]存储器装置以及该存储器装置的操作方法在审

专利信息
申请号: 202010667100.5 申请日: 2020-07-13
公开(公告)号: CN112992229A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 李熙烈 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 以及 操作方法
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,该存储器装置包括:

多个存储器串,所述多个存储器串连接在位线和源极线之间,所述多个存储器串连接到设置在所述位线和所述源极线之间的第一选择线、多条字线和第二选择线;

外围电路,该外围电路被配置为对包括在所述多个存储器串当中的所选存储器串中的所选存储器单元进行编程;以及

控制逻辑,该控制逻辑被配置为控制所述外围电路对所述所选存储器单元进行编程,

其中,所述控制逻辑控制所述外围电路:在编程电压被施加到与所述所选存储器单元连接的所选字线之前,将正电压施加到与未选存储器串连接的所述位线和所述源极线,并且在不同的时间对所述字线以及所述第一选择线和所述第二选择线进行放电。

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑控制所述外围电路:

在所述所选存储器单元的验证操作中,维持施加到所述位线和所述源极线的所述正电压;

对所述字线进行放电;并且

当所述字线被放电时,对所述第一选择线和所述第二选择线进行放电。

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,当所述第一选择线和所述第二选择线被放电时,所述控制逻辑控制所述外围电路将具有正电压的位线电压施加到与所述未选存储器串连接的所述位线。

4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中,当所述位线电压被施加到所述位线时,所述外围电路将作为低于所述位线电压的正电压的源极线电压施加到所述源极线。

5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,当所述编程电压被施加到所述所选字线时,所述外围电路将连接到所述未选存储器串的所述第一选择线和所述第二选择线维持在放电状态。

6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,当所述编程电压被施加到所述所选字线时,所述外围电路将编程通过电压施加到除了所述所选字线之外的未选字线。

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中,所述编程通过电压具有使连接到所述未选字线的存储器单元导通的正电压电平。

8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,当第一次开始所述所选存储器单元的编程操作时,所述外围电路省略与所述未选存储器串连接的所述字线以及所述第一选择线和所述第二选择线的放电。

9.一种操作存储器装置的方法,该方法包括以下步骤:

将作为正电压的位线电压施加到与未选存储器串连接的位线,并且将作为正电压的源极线电压施加到源极线;

在所述位线电压和所述源极线电压被施加到所述位线和所述源极线的状态下,对未选字线和所选字线进行放电;

当所述未选字线和所述所选字线被放电时,对与所述位线相邻的第一选择线和与所述源极线相邻的第二选择线进行放电;以及

通过将编程电压施加到所述所选字线来对连接到所选存储器串的存储器单元进行编程。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述源极线电压具有低于所述位线电压的正电压电平。

11.根据权利要求9所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述位线电压和所述源极线电压被施加到所述位线和所述源极线之前,对连接到所述所选存储器串的所述存储器单元进行验证。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,在对所述存储器单元进行验证的步骤中,

验证通过电压被施加到所述未选字线,

验证电压被施加到所述所选字线,并且

用于使选择晶体管导通的电压被施加到所述第一选择线和所述第二选择线。

13.根据权利要求9所述的方法,其中,在对所述存储器单元进行编程之前,编程允许电压被施加到与所述所选存储器串连接的位线,并且维持施加到与所述未选存储器串连接的位线的所述位线电压。

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