[发明专利]存储器装置以及该存储器装置的操作方法在审

专利信息
申请号: 202010667100.5 申请日: 2020-07-13
公开(公告)号: CN112992229A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 李熙烈 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 以及 操作方法
【说明书】:

提供一种存储器装置以及该存储器装置的操作方法。该存储器装置包括:多个存储器串,所述多个存储器串连接在位线和源极线之间,所述多个存储器串连接到设置在位线和源极线之间的第一选择线、多条字线和第二选择线;外围电路,其用于对包括在存储器串当中的所选存储器串中的所选存储器单元进行编程;以及控制逻辑,其用于控制外围电路对所选存储器单元进行编程。控制逻辑控制外围电路在编程电压被施加到与所选存储器单元连接的所选字线之前,将正电压施加到与未选存储器串连接的位线和源极线,并且在不同的时间对字线以及第一选择线和第二选择线进行放电。

技术领域

本公开总体上涉及存储器装置以及该存储器装置的操作方法,更具体地,涉及一种具有三维结构的存储器装置。

背景技术

存储器装置可存储数据或输出所存储的数据。例如,存储器装置可被配置为当供电中断时所存储的数据消失的易失性存储器装置,或者被配置为即使当供电中断时也保持所存储的数据的非易失性存储器装置。存储器装置可包括:存储器单元阵列,其被配置为存储数据;外围电路,其被配置为执行诸如编程操作、读操作和擦除操作的各种操作;以及控制逻辑,其被配置为控制外围电路。

非易失性存储器装置可按照存储器单元平行于基板布置的二维(2D)结构或存储器单元在垂直方向上从基板层叠的三维(3D)结构来实现。

发明内容

根据本公开的一方面,提供了一种存储器装置,该存储器装置包括:多个存储器串,所述多个存储器串连接在位线和源极线之间,所述多个存储器串连接到设置在位线和源极线之间的第一选择线、多条字线和第二选择线;外围电路,其被配置为对包括在所述多个存储器串当中的所选存储器串中的所选存储器单元进行编程;以及控制逻辑,其被配置为控制外围电路对所选存储器单元进行编程,其中,控制逻辑控制外围电路在编程电压被施加到与所选存储器单元连接的所选字线之前,将正电压施加到与未选存储器串连接的位线和源极线,并且在不同的时间对字线以及第一选择线和第二选择线进行放电。

根据本公开的另一方面,提供了一种操作存储器装置的方法,该方法包括以下步骤:将作为正电压的位线电压施加到与未选存储器串连接的位线,并且将作为正电压的源极线电压施加到源极线;在位线电压和源极线电压被施加到位线和源极线的状态下,对未选字线和所选字线进行放电;当未选字线和所选字线被放电时,对与位线相邻的第一选择线和与源极线相邻的第二选择线进行放电;以及通过将编程电压施加到所选字线来对连接到所选存储器串的存储器单元进行编程。

根据本公开的另一方面,提供了一种操作存储器装置的方法,该方法包括以下步骤:在对连接到所选存储器串的存储器单元进行编程之前,将作为正电压的位线电压施加到与未选存储器串连接的位线,并且将作为正电压的源极线电压施加到源极线以维持未选存储器串的沟道的电压;在正电压被施加到第一选择线和第二选择线的状态下对字线进行放电,以防止未选存储器串的沟道的电压减小;当字线被放电时,对第一选择线和第二选择线进行放电;以及在正电压被施加到与未选存储器串连接的位线的状态下对连接到所选存储器串的存储器单元进行编程。

附图说明

现在将在下文参照附图描述实施方式的示例;然而,其可按照不同的形式来具体实现,不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。

在附图中,为了例示清晰,尺寸可能被夸大。将理解,当元件被称为在两个元件“之间”时,其可以是这两个元件之间的仅有元件,或者也可存在一个或更多个中间元件。相似的标号始终表示相似的元件。

图1是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的图。

图2是示出图1所示的存储块的实施方式的电路图。

图3是示出图1所示的存储块的另一实施方式的电路图。

图4是示出未选存储器串中可能出现的编程扰动的图。

图5是示出根据本公开的实施方式的编程操作的流程图。

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