[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

跨越衬底的栅极图案，所述栅极图案包括依次堆叠在所述衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；

栅极间隔物，覆盖所述栅极图案的侧壁；

在所述衬底上的源极/漏极图案，所述源极/漏极图案邻近所述栅极图案的所述侧壁；

在所述源极/漏极图案上的接触垫，所述接触垫的顶表面低于所述栅电极的顶表面；

在所述接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及

保护间隔物，在所述栅极间隔物与所述源极/漏极接触插塞之间，所述保护间隔物具有包围所述源极/漏极接触插塞的环形。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述保护间隔物与所述栅极间隔物接触，以及

所述保护间隔物的第一宽度大于所述栅极间隔物的第二宽度，所述保护间隔物的所述第一宽度在所述栅极图案之上沿第一方向测量，所述栅极间隔物的所述第二宽度从所述栅极图案的所述侧壁起沿所述第一方向测量。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护间隔物具有比所述栅极间隔物的介电常数低的介电常数。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护间隔物的不与所述栅极图案和所述栅极间隔物重叠的侧壁与所述接触垫的在所述栅极图案延伸的方向上的侧壁对准。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护间隔物围绕所述源极/漏极接触插塞的整个外侧壁。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极/漏极接触插塞的宽度小于所述接触垫的宽度。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极/漏极图案具有倾斜的上侧，并且所述接触垫与所述倾斜的上侧接触。

8.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅极接触插塞，穿透所述栅极盖图案、与所述栅电极接触、并且具有比所述栅极盖图案的宽度小的宽度；以及

辅助绝缘图案，在所述栅极间隔物与所述接触垫之间、在所述栅极间隔物与所述保护间隔物之间以及在所述保护间隔物与所述栅极接触插塞之间，所述辅助绝缘图案包括与所述保护间隔物的材料不同的材料。

9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述保护间隔物与所述源极/漏极接触插塞之间的辅助绝缘图案，所述辅助绝缘图案包括与所述保护间隔物不同的材料。

10.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅极接触插塞，穿透所述栅极盖图案、与所述栅电极接触、并且具有比所述栅极盖图案的宽度小的宽度；以及

辅助绝缘图案，在所述保护间隔物与所述栅极接触插塞之间，所述辅助绝缘图案包括与所述保护间隔物不同的材料。

11.如权利要求1所述的半导体器件，还包括沟道图案，所述沟道图案包括依次堆叠在所述衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案，

其中所述栅电极覆盖所述沟道图案的顶表面和侧表面，并且包括在所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间的第一栅极部分。

12.一种半导体器件，包括：

有源鳍，从衬底突出并且在第一方向上延伸；

跨越所述有源鳍的栅极图案，所述栅极图案包括依次堆叠在所述衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；

栅极间隔物，覆盖所述栅极图案的侧壁；

在所述有源鳍上的源极/漏极图案，所述源极/漏极图案邻近所述栅极图案的所述侧壁；

在所述源极/漏极图案上的接触垫；

在所述接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及

保护间隔物，在所述栅极间隔物与所述源极/漏极接触插塞之间，所述保护间隔物具有包围所述源极/漏极接触插塞的环形并且具有比所述栅极间隔物大的宽度。