[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

说明书

提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。

技术领域

本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能和/或低成本特性而被视为电子工业中的重要元件。半导体器件被归类为用于存储数据的半导体存储器件、用于处理数据的半导体逻辑器件以及包括存储元件和逻辑元件两者的混合半导体器件。随着电子工业发展，对具有改善的特性的半导体器件的需求不断增长。例如，对具有高可靠性、高性能和/或多个功能的半导体器件的需求不断增长。为了满足此需求，增大了半导体器件的复杂性和/或集成密度。

发明内容

根据一实施方式，一种半导体器件可以包括：栅极图案，跨过衬底并包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；源极/漏极图案，设置在衬底上并且在栅极图案旁边；接触垫，设置在源极/漏极图案上以具有比栅电极的顶表面低的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及保护间隔物，插设在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间以具有包围源极/漏极接触插塞的环形。

根据一实施方式，一种半导体器件可以包括：有源鳍，从衬底突出并且在第一方向上延伸；栅极图案，跨过有源鳍并且包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；源极/漏极图案，设置在有源鳍上并且在栅极图案旁边；接触垫，设置在源极/漏极图案上以具有比栅电极的顶表面低的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及保护间隔物，插设在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形并具有比栅极间隔物大的宽度。

根据一实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成栅极图案、栅极间隔物、源极/漏极图案和层间绝缘层，栅极图案跨过衬底并且彼此相邻，栅极间隔物覆盖栅极图案的侧壁，源极/漏极图案设置在栅极图案中的相邻的栅极图案之间，层间绝缘层形成为覆盖栅极图案、栅极间隔物和源极/漏极图案，栅极图案中的每个包括依次堆叠的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；对层间绝缘层执行各向异性蚀刻工艺，以形成暴露源极/漏极图案的第一孔；对层间绝缘层执行各向同性蚀刻工艺，以扩大第一孔的宽度并暴露栅极间隔物的侧壁；在第一孔中形成接触垫，接触垫与源极/漏极图案接触；在第一孔中形成保护间隔物，保护间隔物覆盖栅极间隔物中的相邻的栅极间隔物的侧壁、暴露接触垫的顶表面、并且当在俯视图中看时具有环形；蚀刻栅极图案中的至少一个的栅极盖图案，以形成暴露栅电极的第二孔；以及在第一孔中形成与接触垫接触的源极/漏极接触插塞，并且在第二孔中形成与栅电极接触的栅极接触插塞。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员将变得明显，附图中：

图1A示出了根据一实施方式的半导体器件的俯视图。

图1B示出了根据一实施方式的半导体器件的沿图1A的线A-A'、B-B'和C-C'截取的剖视图。

图1C示出了根据一实施方式的半导体器件的沿图1A的线A-A'、B-B'和C-C'截取的剖视图。

图1D示出了根据一实施方式的半导体器件的沿图1A的线A-A'、B-B'和C-C'截取的剖视图。

图2A、图3A、图4A、图5A、图6A、图7A和图8A示出了在制造具有图1A所示的平面结构的半导体器件的过程中的阶段的俯视图。