[发明专利]一种集成无源器件及其制作方法和集成电路在审
申请号: | 202010668108.3 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN111968995A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 樊永辉;许明伟;樊晓兵;曾学忠 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/13 | 分类号: | H01L27/13;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳市博衍知识产权代理有限公司 44415 | 代理人: | 曾新浩 |
地址: | 518000 广东省深圳市华富街道莲花一*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 无源 器件 及其 制作方法 集成电路 | ||
1.一种集成无源器件,其特征在于,至少包括第一功能层,以及堆叠制作在所述第一功能层表面的第二功能层;所述第一功能层集成了第一无源器件,所述第二功能层集成了第二无源器件。
2.如权利要求1所述的一种集成无源器件,其特征在于,所述集成无源器件包括第三功能层,所述第三功能层设置在所述第二功能层上,所述第三功能层集成了第三无源器件;
所述第一无源器件、所述第二无源器件和所述第三无源器件包括电容、电感或电阻。
3.如权利要求2所述的一种集成无源器件,其特征在于,所述第一无源器件为电感,所述第二无源器件为电容,所述第三无源器件为电阻;
所述第一功能层为电感层,所述第二功能层为电容层,所述第三功能层为电阻层。
4.如权利要求3所述的一种集成无源器件,其特征在于,所述集成无源器件包括:
衬底;
第一钝化层,设置在所述衬底上;
电感层,设置在所述第一钝化层上;
第一金属间介质层,设置在所述电感层上;
电容层,设置在所述第一金属间介质层上;
第二金属间介质层,设置在所述电容层上;
第三金属间介质层,设置在所述第二金属间介质层上;
电阻层,设置在所述第三金属间介质层上;以及
第二钝化层,设置在所述电阻层上。
5.如权利要求4所述的一种集成无源器件,其特征在于,所述电容层包括多个电容,所述电容包括下电极、电容介质、上电极和第一金属连线,所述下电极设置在所述第一金属间介质层上,所述电容介质设置在所述下电极上,所述上电极和第一金属连线设置在所述电容介质上;
所述下电极与所述电感层中的电感连通,所述上电极和第一金属连线与所述电阻层中的电阻连通。
6.如权利要求4所述的一种集成无源器件,其特征在于,所述集成无源器件包括:
背孔,贯穿所述衬底和第一钝化层;以及
背面金属层,设置在所述衬底的下表面,通过所述背孔与所述电感连接。
7.如权利要求2所述的一种集成无源器件,其特征在于,所述第一功能层中的多个第一无源器件同制程形成,所述第二功能层中的多个第二无源器件同制程形成,所述第三功能层中的多个第三无源器件同制程形成。
8.如权利要求3所述的一种集成无源器件,其特征在于,所述第一功能层至少包括堆叠而成的第一电感层和第二电感层,所述第二功能层至少包括堆叠而成的第一电容层和第二电容层。
9.一种集成无源器件的制作方法,其特征在于,包括步骤:
形成衬底;
在所述衬底上形成包括多个第一无源器件的第一功能层;以及
在所述第一功能层上形成包括多个第二无源器件的第二功能层。
10.一种集成电路,其特征在于,包括如权利要求1至8任意一项所述的集成无源器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的