[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202010668756.9 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN112420599A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 田希文;廖韦豪;戴品仁;姚欣洁;吕志伟;李忠儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：
提供一工件，包括：位于一第一介电层中的一金属部件、位于该金属部件上的一蚀刻停止层、位于该蚀刻停止层上的一第二介电层、位于该第二介电层上的一第三介电层、具有一沟槽的一图案化硬遮罩；
形成一导孔开口穿过该图案化硬遮罩中的该沟槽、该第二介电层、该第三介电层以及该蚀刻停止层，以露出该金属部件；
沉积一金属层于该沟槽及该导孔开口中，以分别形成一金属线及一金属接触导孔，且沉积该金属层于该工件上；
移除位于该金属线及该金属接触导孔之间的该图案化硬遮罩；以及
沉积一第四介电层于该金属线及该金属接触导孔之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
