[发明专利]基板悬浮型激光处理装置和悬浮高度的测量方法在审
申请号: | 202010669196.9 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN112242335A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 林大介;三上贵弘;铃木祐辉 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/02;G01B11/06;G01B17/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 悬浮 激光 处理 装置 高度 测量方法 | ||
1.一种基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,包括:
台架,用于将基板悬浮和运送;和
悬浮高度测量装置,用于测量所述基板的悬浮高度;
其中,所述悬浮高度测量装置与所述基板之间的距离能够根据所测量的所述悬浮高度来自动调节。
2.根据权利要求1所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,所述基板的所述悬浮高度通过向所述基板和所述台架施加激光来测量。
3.根据权利要求1所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,所述悬浮高度测量装置与所述基板之间的距离通过使用将所测量的所述基板的所述悬浮高度作为输入的反馈机制来进行调节。
4.根据权利要求2所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,
所述悬浮高度测量装置包括激光位移计,该激光位移计用于将激光施加到所述基板和所述台架,并接收所述激光被所述基板和所述台架反射的反射光,以及
所述激光位移计根据所述激光被所述基板的底表面反射的反射光和所述激光被所述台架的顶表面反射的反射光来测量所述基板的所述悬浮高度。
5.根据权利要求1所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,
所述悬浮高度测量装置包括摄像头,该摄像头用于拍摄所述基板的顶表面的图像,以及
所述摄像头基于所述基板与所述台架接触时所述摄像头的焦点与所述基板的所述顶表面重合的位置,以及所述基板悬浮于所述台架上方时所述摄像头的焦点与所述基板的所述顶表面重合的位置,来测量所述基板的所述悬浮高度。
6.根据权利要求1所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,
所述悬浮高度测量装置包括摄像头,该摄像头用于拍摄所述基板的顶表面的图像,以及
所述摄像头基于所述摄像头的焦点与所述基板的所述顶表面或底表面重合的位置,以及所述摄像头的焦点与所述台架的顶表面重合的位置,来测量所述基板的所述悬浮高度。
7.根据权利要求1所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,
所述悬浮高度测量装置包括长度测量装置,该长度测量装置用于测量到所述基板的顶表面的距离,以及
所述长度测量装置基于当所述基板与所述台架接触时到所述基板的所述顶表面的距离,以及当所述基板悬浮在所述台架上方时到所述基板的所述顶表面的距离,来测量所述基板的所述悬浮高度。
8.根据权利要求1所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,
所述悬浮高度测量装置包括在所述台架上方的水平面上在一个方向上延伸的平移运动台架,以及
所述悬浮高度测量装置沿着所述一个方向测量所述基板的所述悬浮高度。
9.根据权利要求8所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,所述平移运动台架在所述台架的上方的所述水平面上在与所述一个方向垂直的另一方向上可移动。
10.根据权利要求1所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,
所述台架包括多个悬浮单元,所述悬浮单元用于喷射空气以悬浮所述基板,以及
所述台架的顶表面包括所述多个悬浮单元的顶表面。
11.根据权利要求1所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,所述基板悬浮型激光处理装置还包括控制器,所述悬浮高度测量装置用于向所述控制器输入所测量的所述悬浮高度;以及
所述控制器基于预设的目标值和输入的所述悬浮高度来调节所述悬浮高度测量装置与所述基板之间的距离。
12.根据权利要求11所述的基板悬浮型激光处理装置,其特征在于,当所述目标值与输入的所述悬浮高度之间的差值超过预定范围时,所述控制部从用于调节所述距离的数据中排除输入的所述悬浮高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造