[发明专利]基板悬浮型激光处理装置和悬浮高度的测量方法在审
申请号: | 202010669196.9 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN112242335A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 林大介;三上贵弘;铃木祐辉 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/02;G01B11/06;G01B17/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 悬浮 激光 处理 装置 高度 测量方法 | ||
本发明涉及基板悬浮型激光处理装置和悬浮高度的测量方法。根据实施例的基板悬浮型激光处理装置包括:用于将基板悬浮和运送的台架;以及用于测量基板的悬浮高度H的悬浮高度测量装置。注意,悬浮高度测量装置与基板之间的距离可以根据所测量的悬浮高度H自动调节。基板的悬浮高度H是通过向基板和台架施加激光来测量的。悬浮高度测量装置与基板之间的距离通过使用反馈机制来调节,在该反馈机制中,将所测量的基板的悬浮高度用作输入。
技术领域
本发明涉及一种基板悬浮型激光处理装置和悬浮高度的测量方法。
背景技术
日本未经审查的公开号为2018-064048的专利申请公开了一种激光处理装置,该激光处理装置用激光照射包括在玻璃基板等上形成的非晶膜的基板,并对其进行退火处理。在日本未经审查的公开号为2018-064048的专利申请中公开的激光处理装置中,在悬浮台架上进行退火处理,基板通过喷射的空气悬浮在悬浮台架上。
发明内容
关于用于使基板悬浮的悬浮台架,需要精确地控制基板的悬浮以便将激光施加到期望的位置。因此,有必要精确地测量基板的悬浮高度。然而,尚未以令人满意的精度来测量悬浮高度,因此在测量中存在改进的空间。
根据本发明的描述以及附图,其他待解决问题及新颖特征将变得容易理解。
第一示例性方面是一种基板悬浮型激光处理装置,包括:台架,其被配置为悬浮和运送基板;和悬浮高度测量装置,用于测量基板的悬浮高度。注意,悬浮高度测量装置与基板之间的距离可以根据所测量的悬浮高度来自动调节。
根据实施例,可以提供一种基板悬浮型激光处理装置和一种悬浮高度的测量方法,该装置和方法能够通过抑制尘埃或类似物的产生而改善激光处理的性能,而尘埃或类似物的产生是由基板与台架之间的接触所引起,并能够精确控制激光的照射位置。
根据下文给出的详细描述和附图,本公开内容的上述和其他目的,特征和优点将变得更加充分地理解,附图仅以说明的方式给出,因此不应视为限制本公开内容。
附图说明
图1为第一实施方式的示例的基板悬浮型激光处理装置的结构的立体示意图;
图2为第一实施方式的示例的基板悬浮型激光处理装置的台架的平面示意图;
图3示出从图2所示的剖面线III-III处观察的第一实施方式的基板悬浮型激光处理装置;
图4示出在第一实施方式的基板悬浮型激光处理装置中利用悬浮高度测量装置测量的悬浮高度的示例;
图5示出比较例的基板悬浮型激光处理装置的悬浮高度测量装置的示例;
图6是第一实施方式的基板悬浮型激光处理装置中的悬浮高度测量装置和控制器的示例的结构图;
图7是使用第一实施方式的基板悬浮型激光处理装置来测量基板的悬浮高度的方法的示例的流程图;
图8是示意地表示第一实施方式的基板悬浮型激光处理装置中的静止基板的悬浮高度的测量方法的示例的立体图;
图9是示意地示出第一实施方式的基板悬浮型激光处理装置中的移动基板的悬浮高度的测量方法的示例的立体图;
图10示意地示出第二实施方式的基板悬浮型激光处理装置中的悬浮高度测量装置对基板的悬浮高度进行的测量操作的示例;
图11示意地示出第二实施方式的基板悬浮型激光处理装置中的悬浮高度测量装置对基板的悬浮高度进行的测量操作的示例;
图12示意地示出第三实施方式的基板悬浮型激光处理装置中的悬浮高度测量装置对基板的悬浮高度进行的测量操作的示例;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本制钢所,未经株式会社日本制钢所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造