[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：

将第一待封装裸片、第二待封装裸片和导电柱固定于载板上，所述第一待封装裸片的正面与所述第二待封装裸片的正面面向所述载板，所述第一待封装裸片的正面设置有第一焊垫，所述第二待封装裸片的正面设置有第二焊垫，所述第一待封装裸片的背面设置有电感元件，所述电感元件包括第一电连接点，所述第一电连接点位于所述电感元件远离所述第一待封装裸片的一侧，所述导电柱位于所述第一待封装裸片与所述第二待封装裸片之间；所述导电柱包括第一端与第二端，所述第一端位于所述导电柱靠近所述电感元件的一端，所述第二端位于所述导电柱远离所述电感元件的一端；

在所述载板上形成塑封层，所述塑封层包裹住所述第一待封装裸片、所述第二待封装裸片、所述电感元件和所述导电柱，所述电感元件的第一电连接点以及所述导电柱的第一端的表面分别从所述塑封层中露出；

在所述塑封层靠近所述第一待封装裸片的背面的一侧形成第一导电迹线，所述第一导电迹线连接所述电感元件的第一电连接点与所述导电柱的第一端；

去除所述载板；

在所述塑封层靠近所述第一待封装裸片的正面的一侧形成第二导电迹线，所述第二导电迹线连接所述第二待封装裸片的第二焊垫与所述导电柱的第二端。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述将第一待封装裸片、第二待封装裸片和导电柱固定于载板上之前，还包括：

通过电镀工艺在硅片的背面形成第一金属层；

通过刻蚀工艺对所述第一金属层进行刻蚀，得到所述电感元件；

分割所述硅片，得到所述第一待封装裸片；或者，

所述将第一待封装裸片、第二待封装裸片和导电柱固定于载板上之前，还包括：

通过溅射工艺在所述硅片的背面形成种子层；

通过电镀工艺在所述种子层上形成第一金属层；

通过刻蚀工艺对所述第一金属层与所述种子层进行刻蚀，得到所述电感元件；

分割所述硅片，得到所述第一待封装裸片；

其中，所述种子层包括第一种子层与第二种子层，所述第一种子层位于所述硅片上，所述第二种子层位于所述第一种子层上，所述第一种子层的材料为钛，所述第二种子层的材料为铜；或者，

所述种子层包括第二种子层，所述第二种子层的材料为铜。

3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一待封装裸片的正面还形成有第一保护层；

所述第二待封装裸片的正面还形成有第二保护层；所述第一保护层与所述第二保护层远离所述电感元件的表面与所述电感元件远离所述第一保护层的表面之间的距离小于所述导电柱的高度。

4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述导电柱为预成型的；或者，

在所述载板上形成第二金属层；

通过刻蚀工艺对所述第二金属层进行刻蚀，得到所述导电柱。

5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在所述载板上形成塑封层，包括：

在所述载板上形成包封层，所述包封层包裹住所述第一待封装裸片、所述第二待封装裸片、所述电感元件和所述导电柱，所述包封层的厚度大于所述导电柱的高度；

对所述包封层进行减薄，得到所述塑封层，使得所述导电柱的第一端露出所述塑封层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述塑封层上包括第一开口，以暴露所述电感元件的第一电连接点；

通过激光开孔工艺在所述塑封层上形成所述第一开口。

7.根据权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述塑封层靠近所述第一待封装裸片的背面的一侧形成第一导电迹线，包括：

在所述第一开口中填充第一导电介质形成第一导电填充接口，并在所述塑封层上形成第一导电层；所述第一导电填充接口与所述电感元件的第一电连接点电连接，所述第一导电层与第一导电填充接口电连接；

对所述第一导电层进行图案化，得到所述第一导电迹线；

其中，所述第一导电填充接口与所述第一导电层在同一工艺步骤中形成。