[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构

说明书

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。本申请中，半导体封装方法包括：将第一待封装裸片、第二待封装裸片和导电柱固定于载板上，第一待封装裸片背面设有电感元件，导电柱在第一待封装裸片与第二待封装裸片之间；在载板上形成塑封层，塑封层包裹第一待封装裸片、第二待封装裸片、电感元件和导电柱，电感元件的第一电连接点与导电柱的一端露出塑封层；在塑封层靠近第一待封装裸片背面的一侧形成第一导电迹线，第一导电迹线连接电感元件的第一电连接点与导电柱的第一端；去除载板；在塑封层靠近第一待封装裸片正面的一侧形成第二导电迹线，第二导电迹线连接第二待封装裸片的第二焊垫与导电柱。本申请实施例中，半导体封装结构的体积小。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。

背景技术

相关技术中，在封装过程中，可以将封装组件中的电感和裸片一同排布在载板上形成并列排列结构的封装体。这类结构的封装体的体积较大，结构不紧凑。

随着电子设备小型轻量化，具有紧凑结构、小体积的芯片封装体受到越来越多的市场青睐。

然而，如何减小芯片封装体的体积是有待解决的一个技术问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体封装方法及半导体封装结构，使得半导体封装结构的体积小、结构紧凑。

本申请部分实施例提供了一种半导体封装方法，包括：

将第一待封装裸片、第二待封装裸片和导电柱固定于载板上，所述第一待封装裸片的正面与所述第二待封装裸片的正面面向所述载板，所述第一待封装裸片的正面设置有第一焊垫，所述第二待封装裸片的正面设置有第二焊垫，所述第一待封装裸片的背面设置有电感元件，所述电感元件包括第一电连接点，所述第一电连接点位于所述电感元件远离所述第一待封装裸片的一侧，所述导电柱位于所述第一待封装裸片与所述第二待封装裸片之间；所述导电柱包括第一端与第二端，所述第一端位于所述导电柱靠近所述电感元件的一端，所述第二端位于所述导电柱远离所述电感元件的一端；

在所述载板上形成塑封层，所述塑封层包裹住所述第一待封装裸片、所述第二待封装裸片、所述电感元件和所述导电柱，所述电感元件的第一电连接点以及所述导电柱的第一端的表面分别从所述塑封层中露出；

在所述塑封层靠近所述第一待封装裸片的背面的一侧形成第一导电迹线，所述第一导电迹线连接所述电感元件的第一电连接点与所述导电柱的第一端；

去除所述载板；

在所述塑封层靠近所述第一待封装裸片的正面的一侧形成第二导电迹线，所述第二导电迹线连接所述第二待封装裸片的第二焊垫与所述导电柱的第二端。

在一个实施例中，所述将第一待封装裸片、第二待封装裸片和导电柱固定于载板上之前，还包括：

通过电镀工艺在硅片的背面形成第一金属层；

通过刻蚀工艺对所述第一金属层进行刻蚀，得到所述电感元件；

分割所述硅片，得到所述第一待封装裸片；或者，

所述将第一待封装裸片、第二待封装裸片和导电柱固定于载板上之前，还包括：

通过溅射工艺在所述硅片的背面形成种子层；

通过电镀工艺在所述种子层上形成第一金属层；

通过刻蚀工艺对所述第一金属层与所述种子层进行刻蚀，得到所述电感元件；

分割所述硅片，得到所述第一待封装裸片；

其中，所述种子层包括第一种子层与第二种子层，所述第一种子层位于所述硅片上，所述第二种子层位于所述第一种子层上，所述第一种子层的材料为钛，所述第二种子层的材料为铜；或者，