[发明专利]一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括

第一导电类型衬底；

设置在所述衬底上的第一子结构和第二子结构，其中

所述第一子结构包括第二导电类型阱区，设置在所述第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区，

所述第二子结构包括第一导电类型阱区，设置在所述第一导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区；

设置连接所述第一子结构的第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第一金属电极，设置连接所述第二子结构的第一导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第二金属电极；

所述半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的电压的极性形成晶闸管或二极管，所述晶闸管具有骤回功能。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一导电类型为P型半导体，所述第二导电类型为N型半导体：所述半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的正电压形成晶闸管，或者所述半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的负电压形成二级管；

或者

所述第一导电类型为N型半导体，所述第二导电类型为P型半导体：所述半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的正电压形成二级管，或者所述半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的负电压形成晶闸管。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括设置在所述第一导电类型衬底上的连接所述第一子结构的第二导电类型阱区和第二子结构的第一导电类型阱区的扩散区。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括设置在所述第一子结构远离所述第二子结构的一侧的第三子结构，所述第三子结构与所述第二子结构相同。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括至少一个与所述第一子结构和第二子结构并联设置在所述第一导电类型衬底上的子结构对，所述子结构对包括第一子结构、第二子结构和连接所述第一子结构和第二子结构的扩散区。

6.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一金属电极包括第一金属层、第二金属层和位于所述第一金属层和第二金属层之间的介质层；

和/或

所述第二金属电极包括第三金属层、第四金属层和位于所述第三金属层和第四金属层之间的介质层。

7.一种浪涌保护器件，其特征在于，包括至少两个如权利要求1-6中任一项所述的半导体结构，各所述半导体结构的第二金属电极电连接。

8.一种制作权利要求1-6中任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

在第一导电类型衬底上形成第一子结构的第二导电类型阱区；

在所述第一导电类型衬底上形成第二子结构的第一导电类型阱区；

分别在所述第二导电类型阱区和第一导电类型阱区上形成第二导电类型注入区；

分别在所述第二导电类型阱区和第一导电类型阱区上形成第一导电类型注入区；

在所述第二导电类型阱区上形成连接所述第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第一金属电极；

在所述第一导电类型阱区上形成连接所述第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第二金属电极。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述第一导电类型阱区上形成连接所述第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第二金属电极，以及在所述第二导电类型阱区上形成连接所述第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第一金属电极之后，所述制作方法还包括：

在所述第一导电类型衬底上形成连接所述第一子结构的第二导电类型阱区和第二子结构的第一导电类型阱区的扩散区。