[发明专利]一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法

说明书

本发明公开了一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法，所述半导体结构包括：第一导电类型衬底；设置在所述衬底上的第一子结构和第二子结构，第一子结构包括第二导电类型阱区，设置在第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区，连接第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第一金属电极；第二子结构包括第一导电类型阱区，设置在第一导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区，连接第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第二金属电极；半导体结构响应于加载在第一金属电极的电压的极性形成晶闸管或二极管，所述晶闸管具有骤回功能。本发明提供的实施例能够实现对电子产品的浪涌保护和静电放电保护。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法。

背景技术

半导体电压浪涌保护芯片在电压浪涌保护器件领域已形成主导地位，其结构设计也是多种多样。为了适应电子设备和整机系统增加的信息传递量、信息传输速度的需求，以及越来越严苛的外部电压波动要求，需要尽可能降低电容值。而目前降低电容的方法大都采用在保护芯片结构中设计单独的控向二极管，通过与浪涌保护单元进行串联来降低整个保护芯片的总电容，然而该方法采用的单独控向二极管一方面增加芯片面积、增加工艺难度，另一方面使得制作和应用成本大幅攀升。

发明内容

为了解决上述问题至少之一，本发明第一个实施例提供一种半导体结构，包括

第一导电类型衬底；

设置在所述衬底上的第一子结构和第二子结构，其中

所述第一子结构包括第二导电类型阱区，设置在所述第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区，

所述第二子结构包括第一导电类型阱区，设置在所述第一导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区；

设置连接所述第一子结构的第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第一金属电极，设置连接所述第二子结构的第一导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第二金属电极；

所述半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的电压的极性形成晶闸管或二极管，所述晶闸管具有骤回功能。

进一步的，

所述第一导电类型为P型半导体，所述第二导电类型为N型半导体：所述半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的正电压形成晶闸管，或者所述半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的负电压形成二级管；

或者

所述第一导电类型为N型半导体，所述第二导电类型为P型半导体：所述半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的正电压形成二级管，或者所述半导体结构响应于加载在所述第一金属电极的负电压形成晶闸管。

进一步的，还包括设置在所述第一导电类型衬底上的连接所述第一子结构的第二导电类型阱区和第二子结构的第一导电类型阱区的扩散区。

进一步的，还包括设置在所述第一子结构远离所述第二子结构的一侧的第三子结构，所述第三子结构与所述第二子结构相同。

进一步的，还包括至少一个与所述第一子结构和第二子结构并联设置在第一导电类型衬底上的子结构对，所述子结构对包括第一子结构、第二子结构和连接所述第一子结构和第二子结构的扩散区。

进一步的，

所述第一金属电极包括第一金属层、第二金属层和位于所述第一金属层和第二金属层之间的介质层；

和/或

所述第二金属电极包括第三金属层、第四金属层和位于所述第三金属层和第四金属层之间的介质层。