[发明专利]OLED显示装置及制备方法有效
申请号: | 202010671383.0 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN111668285B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 王进 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H10K59/12 | 分类号: | H10K59/12;H10K50/858;H10K50/86;H10K71/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示装置,其特征在于,所述OLED显示装置包括:衬底基板以及依次形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管层、OLED器件层、封盖层、
LiF层以及薄膜封装层,所述LiF层设置于所述封盖层远离所述OLED器件层的一侧,所述LiF层对水汽和氧具有阻隔作用;
其中,所述封盖层经耦合输出层材料与纳米晶材料混合而成,所述纳米晶材料包括氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料,所述封盖层经耦合输出层材料与氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料混合而成后的折射率为2.3,所述耦合输出层材料与所述氧化铅纳米晶材料或者所述氧化钡纳米晶材料的混合比例为100:1~1000:1。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其特征在于,所述耦合输出层材料为无机透明材料或者有机透明材料。
3.根据权利要求2所述的OLED显示装置,其特征在于,所述无机透明材料为ZnO、ZnSe、TiO2以及SiN3中的至少一种;所述有机透明材料为NPB以及Alq3中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其特征在于,所述OLED器件层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。
5.一种如权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
S10,在一衬底基板上制备薄膜晶体管层;
S20,在所述薄膜晶体管层蒸镀OLED器件层;
S30,在所述OLED器件层上蒸镀封盖层,所述封盖层经耦合输出层材料与氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料混合而成后的折射率为2.3;
S40,在所述封盖层蒸镀LiF层;
S50,在所述LiF层制备薄膜封装层,所述薄膜封装层完全覆盖所述LiF层、所述封盖层、所述OLED器件层以及所述薄膜晶体管层。
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