[发明专利]OLED显示装置及制备方法

说明书

本申请公开了一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括：衬底基板以及依次形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管层、OLED器件层、封盖层、LiF层以及薄膜封装层；其中，所述封盖层的材料的折射率n大于1.8。本申请公开了所述OLED显示装置的制备方法。本申请通过制备高折射率的封盖层材料，提高了OLED显示装置中封盖层的透光率，进一步地提升了OLED显示装置的显示效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)是一种利用有机半导体材料在电流驱动下产生可逆变色来实现多彩显示的光电技术。OLED具有轻薄、高亮度、主动发光、能耗低、大视角、快速响应、可柔性、工作温度范围宽等优点，被认为是最有发展前途的新一代显示技术。

然而，OLED的外量子效率与内量子效率之间存在巨大差距，极大地制约了OLED的发展。因此，如何减少OLED器件中的全反射效应、提高光耦合到器件前向外部空间的比例(出光效率)引起人们的广泛关注。目前，通常会在OLED器件的阴极上蒸镀一层高折射率的封盖层(Capping Layer，CPL)来减弱出射光在阴极的全反射，进而提高OLED外量子效率。目前传统的封盖层(Capping Layer，CPL)材料的透光率较低，进而影响了OLED显示装置的显示效果。

综上所述，现有的OLED显示装置及制备方法，使用的封盖层(Capping Layer，CPL)材料的透光率较低，进一步影响了OLED显示装置的显示效果。

发明内容

本申请实施例提供一种OLED显示装置及制备方法，能够提高OLED外量子效率，以解决现有的OLED显示装置及制备方法，使用的封盖层(Capping Layer，CPL)材料的透光率较低，进一步影响了OLED显示装置的显示效果的技术问题。

本申请实施例提供一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括：衬底基板以及依次形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管层、OLED器件层、封盖层、LiF层以及薄膜封装层；

其中，所述封盖层的材料的折射率n大于1.8。

在一些实施例中，所述封盖层经耦合输出层材料与纳米晶材料混合而成。

在一些实施例中，所述耦合输出层材料与所述纳米晶材料的混合比例为100:1～1000:1。

在一些实施例中，所述纳米晶材料包括氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料。

在一些实施例中，所述耦合输出层材料为无机透明材料或者有机透明材料。

在一些实施例中，所述无机透明材料为ZnO、ZnSe、TiO₂以及SiN₃中的至少一种；所述有机透明材料为NPB以及Alq₃中的至少一种。

在一些实施例中，所述OLED器件层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。

本申请实施例还提供一种上述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

S10，在一衬底基板上制备薄膜晶体管层；

S20，在所述薄膜晶体管层蒸镀OLED器件层；

S30，在所述OLED器件层上蒸镀封盖层,所述封盖层的材料的折射率n大于1.8；

S40，在所述封盖层蒸镀LiF层；

S50，在所述LiF层制备薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述LiF层、所述封盖层、所述OLED器件层以及所述薄膜晶体管层。