[发明专利]具有电容连接垫的半导体结构与电容连接垫的制作方法有效
申请号: | 202010673242.2 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN111799261B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 冯立伟;邹世芳;何建廷;王嫈乔;陈昱磬;庄慧伶;游奎轩 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H10B12/00 | 分类号: | H10B12/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王冉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电容 连接 半导体 结构 制作方法 | ||
1.一种接触结构,用于电连接动态随机存取存储器单元中的电容与晶体管,包含:
电容连接垫,包含:
第一部件,包含一第一底面;
第二部件,包含一第一顶面和一第二底面,其中该第一底面接触该第一顶面,该第一底面的面积小于该第一顶面的面积;以及
电容接触插塞,其中该第二部件位于该第一部件和该电容接触插塞之间,该电容接触插塞包含一第二顶面,该第二顶面接触该第二底面,该第二顶面的面积小于该第二底面的面积。
2.如权利要求1所述的接触结构,其中该第一部件和该电容接触插塞交错。
3.如权利要求2所述的接触结构,其中在正投影方向上该第一底面完全不重叠该第二顶面。
4.如权利要求1所述的接触结构,其中该第一底面的面积大于该第二顶面的面积。
5.如权利要求4所述的接触结构,其中在正投影方向上该第二顶面仅部分重叠该第一底面。
6.如权利要求1所述的接触结构,还包含一电容接触该电容连接垫。
7.如权利要求1所述的接触结构,其中该第一顶面和该第二底面相对并且具有相同形状。
8.如权利要求1所述的接触结构,还包含:
晶体管,电连接该电容接触插塞;以及
电容,电连接该电容连接垫。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司,未经联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010673242.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带有进料压平功能的裁切设备
- 下一篇:模内自动切断浇口的模具