[发明专利]具有电容连接垫的半导体结构与电容连接垫的制作方法有效

专利信息
申请号: 202010673242.2 申请日: 2017-02-24
公开(公告)号: CN111799261B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 冯立伟;邹世芳;何建廷;王嫈乔;陈昱磬;庄慧伶;游奎轩 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H10B12/00 分类号: H10B12/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王冉
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 电容 连接 半导体 结构 制作方法
【权利要求书】:

1.一种接触结构,用于电连接动态随机存取存储器单元中的电容与晶体管,包含:

电容连接垫,包含:

第一部件,包含一第一底面;

第二部件,包含一第一顶面和一第二底面,其中该第一底面接触该第一顶面,该第一底面的面积小于该第一顶面的面积;以及

电容接触插塞,其中该第二部件位于该第一部件和该电容接触插塞之间,该电容接触插塞包含一第二顶面,该第二顶面接触该第二底面,该第二顶面的面积小于该第二底面的面积。

2.如权利要求1所述的接触结构,其中该第一部件和该电容接触插塞交错。

3.如权利要求2所述的接触结构,其中在正投影方向上该第一底面完全不重叠该第二顶面。

4.如权利要求1所述的接触结构,其中该第一底面的面积大于该第二顶面的面积。

5.如权利要求4所述的接触结构,其中在正投影方向上该第二顶面仅部分重叠该第一底面。

6.如权利要求1所述的接触结构,还包含一电容接触该电容连接垫。

7.如权利要求1所述的接触结构,其中该第一顶面和该第二底面相对并且具有相同形状。

8.如权利要求1所述的接触结构,还包含:

晶体管,电连接该电容接触插塞;以及

电容,电连接该电容连接垫。

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