[发明专利]晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供形成有多个第一芯片的第一器件晶圆，所述第一芯片包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有裸露的且相间隔的第一互连电极和外接电极；

形成覆盖所述外接电极的遮挡层；

提供多个第二芯片，所述第二芯片的表面具有裸露的第二互连电极；

利用键合层将所述第二芯片键合于所述第一芯片的第一表面上，所述第二互连电极和第一互连电极上下相对，围成空腔，且所述第二芯片露出所述外接电极；

形成所述遮挡层后，形成填充于所述空腔中的芯片互连结构；

形成所述芯片互连结构后，去除所述遮挡层。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述晶圆级封装方法还包括：形成所述芯片互连结构后，切割所述第一器件晶圆形成芯片模块，所述芯片模块包括键合在一起的所述第二芯片和所述第一芯片。

3.如权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，切割所述第一器件晶圆后，所述晶圆级封装方法还包括：将所述芯片模块粘接至基板上，所述基板中具有电路结构；

利用打线工艺形成焊线，所述焊线电连接所述外接电极与所述电路基板中的电路结构。

4.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，采用电镀工艺形成所述芯片互连结构，所述电镀工艺包括无极电镀工艺。

5.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在键合之前，形成所述遮挡层。

6.如权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在形成所述芯片互连结构之后，切割所述第一器件晶圆之前，去除所述遮挡层。

7.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述遮挡层与所述第一互连电极的刻蚀选择比大于10:1，所述遮挡层与所述外接电极的刻蚀选择比大于10:1。

8.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述遮挡层的材料包括聚酰亚胺和含碳介质中的一种或两种。

9.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，去除所述遮挡层的工艺包括等离子体氧化工艺和等离子体氮化工艺中的一种或两种。

10.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，形成所述遮挡层的步骤包括：在所述第一器件晶圆上沉积遮挡材料层；刻蚀所述外接电极露出的其余区域的所述遮挡材料层，形成遮挡层。

11.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述遮挡层的厚度为0.1微米至1微米。

12.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述键合层包括干膜或粘片膜，所述键合层的厚度是5微米至50微米。

13.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，每个所述第二芯片单独与所述第一器件晶圆上对应的所述第一芯片实施键合。

14.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，提供所述多个第二芯片的步骤中，所述第二芯片位于第二器件晶圆中；

在键合的步骤中，将所述第二器件晶圆键合至所述第一器件晶圆上。

15.如权利要求14所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在形成所述芯片互连结构之前，所述晶圆级封装方法还包括：切割所述第二器件晶圆，分离各个所述第二芯片。

16.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，利用光学对准工艺实现键合。

17.如权利要求3所述的晶圆级封装方法，其特征在于，形成所述焊线后，所述晶圆级封装方法还包括：形成至少覆盖所述芯片互连结构和焊线的覆盖层。