[发明专利]晶圆级封装方法以及封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供形成有多个第一芯片的晶圆，所述第一芯片包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有第一互连电极和外接电极；

提供多个第二芯片和多个互连芯片，所述第二芯片的表面具有第二互连电极，所述互连芯片包括相对的第三表面和第四表面，所述互连芯片中形成有互连结构，所述互连芯片的第三表面暴露部分所述互连结构；

将所述第二芯片和所述互连芯片键合于所述第一芯片的第一表面上；

形成第一互连凸块，用于实现所述第一互连电极和所述第二互连电极之间的电连接，形成第二互连凸块，用于实现所述外接电极和所述互连结构之间的电连接。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述互连结构包括插塞，所述插塞为所述互连芯片的第三表面暴露的部分；

或者，

所述互连结构包括插塞、与所述插塞连接的互连线、以及焊垫，所述焊垫为所述互连芯片的第三表面暴露的部分。

3.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述互连结构包括互连线和焊垫，所述焊垫为所述互连芯片的第三表面暴露的部分；

形成所述第一互连凸块和第二互连凸块后，所述晶圆级封装方法还包括：形成从所述第四表面嵌于所述互连芯片中的插塞，所述插塞与所述互连线相连。

4.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，提供多个互连芯片的步骤包括：提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成多个第一互连结构；

形成所述第一互连结构后，对所述半导体衬底进行切割，获得多个分立的互连芯片。

5.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述第二芯片键合于所述第一芯片上后，所述第二互连电极和所述第一互连电极上下相对，围成第一空腔；利用电镀工艺在所述第一空腔中形成所述第一互连凸块；或者，

将所述第二芯片键合于所述第一芯片上之前，在所述第二互连电极或所述第一互连电极上形成所述第一互连凸块，利用压焊工艺将所述第二芯片焊接至所述第一芯片上，使所述第一互连电极和所述第二互连电极通过所述第一互连凸块电连接；其中，所述压焊工艺为所述键合，或者，在所述压焊工艺之后进行所述键合。

6.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述互连芯片键合于所述第一芯片上后，所述互连结构和所述外接电极上下相对，围成第二空腔；利用电镀工艺在所述第二空腔中形成所述第二互连凸块；

或者，

将所述互连芯片键合于所述第一芯片上之前，在所述互连结构或所述外接电极上形成所述第二互连凸块，利用压焊工艺将所述互连芯片焊接至所述第一芯片上，使所述互连结构和所述外接电极通过所述第二互连凸块电连接；其中，所述压焊工艺为所述键合，或者，在所述压焊工艺之后进行所述键合。

7.如权利要求5或6所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述电镀工艺为无极电镀工艺。

8.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，每个所述第二芯片以及每个所述互连芯片均以芯片级的方式单独键合于所述晶圆上；

或者，

在将所述第二芯片和所述互连芯片键合于所述晶圆之前，所述第二芯片和所述互连芯片临时键合于承载基板上；

在将所述第二芯片和所述互连芯片键合于所述晶圆之后，去除所述承载基板。

9.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，利用粘接层将所述第二芯片和所述互连芯片键合于所述第一芯片的第一表面上，所述粘接层的材料为光敏材料。

10.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述互连芯片的厚度大于或等于所述第二芯片的厚度。