[发明专利]存储器控制器在审
申请号: | 202010673537.X | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN113936718A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 森郁 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/419 | 分类号: | G11C11/419 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 控制器 | ||
1.一种存储器控制器,适用于伪静态随机存取存储器,包括:
模式寄存器,用以依据写入指示信号以产生延迟控制信号;
模式寄存器写入控制器,用以在模式寄存器写入动作中产生所述写入指示信号,并依据芯片选择信号以产生写入遮蔽信号;以及
延迟控制器,耦接至所述模式寄存器以及所述模式寄存器写入控制器,并依据所述延迟控制信号以及所述写入遮蔽信号以产生延迟型态控制信号。
2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中于所述芯片选择信号被致能下,所述模式寄存器写入控制器依据所述写入指示信号判断所述模式寄存器写入动作是否被执行,并且所述模式寄存器写入控制器依据判断结果以产生所述写入遮蔽信号,以使所述延迟控制器通过所述延迟型态控制信号来控制所述伪静态随机存取存储器的存取延迟为第一型态或第二型态。
3.根据权利要求2所述的存储器控制器,其中当所述写入指示信号指示所述模式寄存器写入动作被执行时,所述模式寄存器写入控制器产生为致能的所述写入遮蔽信号,并使所述延迟控制器通过所述延迟型态控制信号来控制所述伪静态随机存取存储器的所述存取延迟为所述第一型态。
4.根据权利要求3所述的存储器控制器,其中所述第一型态对应于第一延迟时间,所述第二型态对应于第二延迟时间,其中所述第一延迟时间为所述第二延迟时间的整数倍。
5.根据权利要求1所述的存储器控制器,还包括:
自刷新控制器,用以依据自刷新请求以及所述芯片选择信号以产生自刷新等待信号,
其中,所述延迟控制器还耦接至所述自刷新控制器,并且所述延迟控制器还依据所述自刷新等待信号以产生所述延迟型态控制信号。
6.根据权利要求5所述的存储器控制器,其中所述延迟控制器包括:
第一逻辑门,其第一输入端接收所述延迟控制信号,其第二输入端接收所述写入遮蔽信号;以及
第二逻辑门,其第一输入端接收所述自刷新等待信号,其第二输入端耦接至所述第一逻辑门的输出端,其输出端产生所述延迟型态控制信号。
7.根据权利要求5所述的存储器控制器,其中当所述自刷新等待信号、所述延迟控制信号以及所述写入遮蔽信号中的任一为致能时,所述延迟控制器通过所述延迟型态控制信号来控制所述伪静态随机存取存储器的所述存取延迟为第一型态。
8.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述模式寄存器写入控制器包括:
第一级电路,用以依据命令以产生所述写入指示信号;以及
第二级电路,耦接至所述第一级电路,并依据所述写入指示信号、所述芯片选择信号以及初始化控制信号,以产生所述写入遮蔽信号。
9.根据权利要求8所述的存储器控制器,其中所述第二级电路包括:
脉宽调整电路,接收所述芯片选择信号,并依据所述芯片选择信号产生控制信号以及反相控制信号;
锁存器,耦接至所述脉宽调整电路以及所述第一级电路,并依据所述控制信号、所述反相控制信号以及所述写入指示信号以产生输出信号;以及
逻辑门,其第一输入端接收所述控制信号,其第二输入端接收所述输出信号,其输出端产生所述写入遮蔽信号。
10.根据权利要求9所述的存储器控制器,其中所述脉宽调整电路针对所述芯片选择信号的脉宽进行调整以产生为互补的所述控制信号以及反相控制信号。
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