[发明专利]一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖及制备方法

权利要求书

1.一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:根据陶瓷砖(1)表面微观结构的要求，配制弱酸；

S2:采用高压雾化设备，均匀喷涂弱酸在研磨抛光后的陶瓷砖(1)表面，进行表面微观结构修饰；

S3:对修饰后的陶瓷砖(1)表面进行清洗、吹干；

S4:制备掺杂银粒子的纳米二氧化硅水溶液；

S5:采用涂布方式将掺杂银粒子的纳米二氧化硅水溶液涂布在修饰后的陶瓷砖(1)表面形成薄膜层(2)，并烘烤；

S6、烘烤结束，冷却，得到防静电陶瓷砖。

2.根据权利要求1所述的一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述S4中的掺杂银粒子的纳米二氧化硅水溶液，由掺杂银粒子的纳米二氧化硅、水和偶联剂、PH值调节剂组成；

其组成按重量百分比为：掺杂银粒子的纳米二氧化硅：20～50％、水：50～80％、偶联剂：1～5％以及PH值调节剂：0.5～1％。

3.根据权利要求1所述的一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述S1中的弱酸采用浓度为5-15％的柠檬酸。

4.根据权利要求3所述的一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述S2中，高压雾化的压力为0.6～0.8MPa，雾化设备的喷嘴直径0.5～1.0mm。

5.根据权利要求1所述的一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述S5中采用的涂布方式，是用100％润湿饱和的状态下的棉布把纳米二氧化硅水溶液转移到陶瓷砖(1)表面，所述S5中烘烤过程为在150～250℃的温度下，烘烤20～60分钟。

6.根据权利要求2所述的一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述纳米二氧化硅的尺寸为50～200nm，所述银粒子的尺寸为2～5nm。

7.根据权利要求2所述的一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述S2中修饰时间为30～120秒。

8.根据权利要求1所述的一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述S2中陶瓷砖(1)表面进行表面微观结构修饰后的粗糙度Ra为0.1～0.5μm。

9.一种根据权利要求1～8任一所述制备方法制得的表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖，包括陶瓷砖(1)以及薄膜层(2)，所述薄膜层(2)设置于陶瓷砖(1)表面，其特征在于，所述薄膜层(2)的接触角为0～10度，所述薄膜层(2)具有超亲水性。

10.根据权利要求9所述的一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖，其特征在于，所述薄膜层(2)厚度为1～5μm。