[发明专利]一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖及制备方法

说明书

本发明公开了一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖及制备方法。包括以下步骤：S1、根据陶瓷砖表面微观结构的要求，配制一定溶度的弱酸；S2、采用高压雾化设备，均匀喷涂弱酸在研磨抛光后的陶瓷砖表面，进行表面微观结构修饰；S3、对修饰后的陶瓷砖表面进行清洗、吹干；S4、制备掺杂银粒子的纳米二氧化硅水溶液；S5、采用涂布方式将掺杂银粒子的纳米二氧化硅水溶液涂布在修饰后的陶瓷砖表面形成薄膜层并烘烤；S6、烘烤结束，冷却，得到防静电陶瓷砖；本发明具有生产技术难度低，易于实施且性价比高的特点。

技术领域

本发明属于工业陶瓷技术领域，具体涉及一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖及制备方法。

背景技术

静电是一种普遍存在的现象，在各行业中，特别是具有精密仪器或者特殊环境对静电需要采用防护措施。在装饰材料方面，有采用防静电的装饰板、木材、导电漆等，而在装饰材料中陶瓷材料是占据了相当大比例的，因此制备一种具有防静电的陶瓷也是大家共同努力的方向。

目前，研究防静电陶瓷的专利有，如CN103614003B提供了一种使用半导体氧化物添加到陶瓷墨水打印到陶瓷表面，达到抗静电的效果；如专利CN102030519B采用氧化锌、氧化锡半导体粉直接与陶瓷坯料球磨混合制备防静电陶瓷；还有专利CN102795893B、CN103113133A等公布的方案都是采用同样的方法；虽然采用的过程不一样，但都是利用了半导体粉可以消除静电这材料性质。目前添加到陶瓷坯料的半导体粉一般采用的是氧化锌、氧化锡或者氧化锑等单一或者复合粉，而且需要添加一定的比例，如专利CN102030519B所介绍的需要添加11％～35％的二氧化锡、1％～9％的三氧化二锑；如专利CN102795893B所述添加二氧化锡30～45％，因此导致成本很高；另外还有通过采用特殊的工艺制备方法，如专利CN103113133A所介绍采用导电浆料包裹陶瓷砖坯粉的方法，虽然减少了半导体粉的用量，但是增加了生产过程的工序和成本，而且提高了生产的技术难度，不易于实施。

因此，开发出一种生产技术难度低，易于实施且性价比高的静电陶瓷砖制备方法势在必行

发明内容

本发明的目的是提供一种生产技术难度低，易于实施且性价比高的静电陶瓷砖制备方法。

为实现上述发明目的，本发明采取的技术方案如下：

一种表面拥有纳米结构的防静电陶瓷砖的制备方法，包括以下步骤：

S1、根据陶瓷砖表面微观结构的要求，配制弱酸；

S2、采用高压雾化设备，均匀喷涂弱酸在研磨抛光后的陶瓷砖表面，进行表面微观结构修饰；

S3、对修饰后的陶瓷砖表面进行清洗、吹干；

S4、制备掺杂银粒子的纳米二氧化硅水溶液；

S5、采用涂布方式将掺杂银粒子的纳米二氧化硅水溶液涂布在修饰后的陶瓷砖表面形成薄膜层，并烘烤；

S6、烘烤结束，冷却，得到防静电陶瓷砖。

作为优选，所述S4中的掺杂银粒子的纳米二氧化硅水溶液，由掺杂银粒子的纳米二氧化硅、水和偶联剂、PH值调节剂组成；

其组成按重量百分比为：掺杂银粒子的纳米二氧化硅：20～50％、水：50～80％、偶联剂：1～5％以及PH值调节剂：0.5～1％。

作为优选，所述S1中的弱酸采用浓度为5-15％的柠檬酸。

作为优选，所述S2中，高压雾化的压力为0.6～0.8MPa，雾化设备的喷嘴直径0.5～1.0mm。

作为优选，所述S5中采用的涂布方式，是用100％润湿饱和的状态下的棉布把纳米二氧化硅水溶液转移到陶瓷砖表面，所述S5中烘烤过程为在150～250℃的温度下，烘烤20～60分钟。