[发明专利]一种液体环氧树脂组合物及其制备方法和应用在审
申请号: | 202010678603.2 | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN111763403A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 张未浩;朱朋莉;吕广超;李刚;赵涛;孙蓉 | 申请(专利权)人: | 深圳先进电子材料国际创新研究院 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08K13/06;C08K9/06;C08K7/18;C08K3/38;C08K3/24;H01L23/29;H01L23/373 |
代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 李玉娜 |
地址: | 518103 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液体 环氧树脂 组合 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明公开了一种液体环氧树脂组合物及其制备方法和应用,液体环氧树脂组合物,包含液体环氧树脂、液体固化剂、固化促进剂、填料;所述填料选自改性高导热填料,或,改性高导热填料和负热膨胀系数填料的组合;所述改性高导热填料的制备方法为:将高导热填料和改性剂在120‑200℃下反应16‑24h得到改性高导热填料。本发明的液体环氧树脂组合物具有低翘曲、高导热(5W/m.K)的特点,可用于Fan‑Out WLP的封装。
技术领域
本发明属于电子封装材料技术领域,涉及一种适用于Fan-Out WLP封装的液体环氧树脂组合物及其制备方法和应用。
背景技术
扩散式WLP(fan-out WLP)是基于晶圆重构技术,将芯片重新布置到一块人工晶圆上,然后按照与标准WLP工艺类似的步骤进行封装,得到的封装面积要大于芯片面积的一种先进的封装形式。此类封装相对于目前主流的FCCSP封装来说,不需要层压基板直接采用芯片倒装技术,体积小,电性能好。晶圆尺寸一般分为三种:8寸、10寸、12寸,目前主流的是8寸晶圆。晶圆级封装因其尺寸较大,其在封装完后因材料与硅晶圆(3ppm/℃)的热应力不同,很容易产生翘曲,翘曲的晶圆片对后续的研磨、切割都是很大的一个挑战。现有技术封装后的翘曲比较大,目前翘曲30mm。
随着半导体封装朝着小型、薄型、多功能型方向发展,在芯片运行过程中产生大量的热量,热量的产生会极大的影响芯片运行能力,故对于高导热液体环氧模塑料也必是未来的趋势。而现有的液体环氧模塑料导热率不高,导热只能做到3W/m.K左右。
综上,开发一种高导热和低翘曲的液体环氧模塑料是非常有必要的。
发明内容
为了解决上述背景技术中所提出的问题,本发明的目的在于提供一种用于Fan-out WLP封装的低翘曲、高导热液态环氧树脂组合物及其制备方法和应用,本发明采用特殊的改性方法对高导热填料表面进行改性,使液体环氧树脂组合物保持高的填充量和低的粘度,提高热导率;使用负热膨胀系数填料,使液体环氧树脂组合物保持低的热膨胀系数,改善翘曲问题。
为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案为:一种液体环氧树脂组合物,包含液体环氧树脂、液体固化剂、固化促进剂、填料;
所述填料选自改性高导热填料,或,改性高导热填料和负热膨胀系数填料的组合,优选为改性高导热填料和负热膨胀系数填料的组合;
所述改性高导热填料的制备方法为:将高导热填料和改性剂在120-200℃下反应16-24h得到改性高导热填料。
进一步地,所述改性剂与高导热填料的质量比为0.01-0.3:1。进一步地,当所述填料选自改性高导热填料时,所述液体环氧树脂、液体固化剂、固化促进剂、填料的质量比为3-10:4-12:0.01-3:87-92;优选为4-8:5-10:0.1-2:87-92;更优选为5-7:6-9:0.3-1:87-92;
当所述填料选自改性高导热填料和负热膨胀系数填料的组合时,所述液体环氧树脂、液体固化剂、固化促进剂、填料的质量比为3-10:4-12:0.01-3:70-90;优选为4-8:5-10:0.1-2:70-90;更优选为5-7:6-9:0.3-1:70-90。
进一步地,所述高导热填料选自氧化铝、氧化镁、氮化铝、氮化硼中的一种或至少两种的组合,优选为氮化硼;
优选地,所述改性剂选自硅烷类偶联剂、钛酸酯类偶联剂、铝酸酯类偶联剂中的一种或至少两种的组合,优选为硅烷类偶联剂;
优选地,所述硅烷类偶联剂通式为RSiX3,通式中,R代表与所述液体环氧树脂有亲和力或反应能力的活性基团,选自巯基、乙烯基、环氧基、酰胺基、氨苯基、氨基、环氧基、氰基或甲基丙烯酰氧基;X代表能水解的烷氧基,优选地,所述烷氧基选自甲氧基、乙氧基;
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