[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010678796.1 | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN112242422A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 白炅旼;申相原;申铉亿;李周炫;朴弘植 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 潘怀仁;孔丽君 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底层;
显示元件,所述显示元件设置在所述基底层上;和
信号线,所述信号线设置在所述基底层上并且电连接至所述显示元件,
其中所述信号线包括:
导电层;和
封盖层,所述封盖层设置在所述导电层上并且包括氮化钒和氧化锌。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述封盖层进一步包括氧化铝。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中在所述封盖层中:
所述氮化钒的含量在25at%至80at%的范围内,
所述氧化锌的含量在20at%至70at%的范围内,并且
所述氧化铝的含量在3at%至10at%的范围内,
所述氮化钒的含量、所述氧化锌的含量和所述氧化铝的含量之和为100at%。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述封盖层的反射比小于所述导电层的反射比。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述信号线对可见光的平均反射比等于或小于20%。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述信号线进一步包括中间层,所述中间层设置在所述导电层和所述封盖层之间,并且
其中所述中间层具有在所述导电层的折射率和所述封盖层的折射率之间的折射率。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中所述中间层包括选自由下述组成的组中的至少一种:氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化钛和氧化铝。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述封盖层的厚度在至的范围内。
9.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一信号线;和
第二信号线,所述第二信号线与所述第一信号线间隔开,
其中所述第一信号线和所述第二信号线中的至少一条包括:
导电层;和
封盖层,所述封盖层设置在所述导电层上并且包括氮化钒和氧化锌。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述封盖层对可见光的平均反射比等于或小于25%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的