[发明专利]显示装置

说明书

显示装置包括：基底层；显示元件，所述显示元件设置在基底层上；和信号线，所述信号线设置在基底层上并且电连接至显示元件。信号线包括导电层和封盖层。封盖层设置在导电层上并且包括氮化钒(VN)和氧化锌(ZnO)。显示装置可减少外部光源的反射，从而具有提高的可见性。

相关申请(多个申请)的交叉引用

本申请要求于2019年7月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0086560号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及显示装置，并且尤其涉及对外部光具有低的光学反射比的显示装置。

背景技术

显示装置包括信号线，所述信号线用于显示图像或感测外部信号；和电子装置，所述电子装置连接至信号线。信号线和电子装置包括导电图案。因为导电图案包括高反射的金属，所以它们反射外部光，并且这允许使用者识别导电图案。在存在外部光的反射并且信号线或电子装置被使用者识别的情况下，显示在显示装置上的图像的可见性可劣化。

发明内容

实施方式提供了具有提高的可见性的显示装置。显示装置包括信号线，所述信号线对外部光具有低的反射比，并且这允许显示装置具有提高的可见性特性。

根据实施方式，显示装置可包括基底层、显示元件和信号线。显示元件可设置在基底层上。信号线可设置在基底层上并且可电连接至显示元件。信号线可包括导电层和封盖层。封盖层可设置在导电层上并且可包括氮化钒(VN)和氧化锌(ZnO)。

在实施方式中，封盖层可进一步包括氧化铝(Al₂O₃)。

在实施方式中，在封盖层中，氮化钒的含量可在约25at％至约80at％的范围内，氧化锌的含量可在约20at％至约70at％的范围内，并且氧化铝的含量可在约3at％至约10at％的范围内，氮化钒的含量、氧化锌的含量和氧化铝的含量之和为100at％。

在实施方式中，封盖层的反射比可低于导电层的反射比。

在实施方式中，封盖层可直接设置在导电层上。

在实施方式中，信号线对可见光的平均反射比可等于或小于约20％。

在实施方式中，信号线可进一步包括中间层，所述中间层可设置在导电层和封盖层之间。中间层可具有在导电层的折射率和封盖层的折射率之间的折射率。

在实施方式中，中间层可包括选自由下述组成的组中的至少一种：氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化钛和氧化铝。

在实施方式中，封盖层的厚度可在约至约的范围内。

在实施方式中，显示装置可进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管可设置在基底层上。显示元件可电连接至薄膜晶体管。信号线可包括第一信号线和第二信号线。第一信号线可设置在基底层上。第二信号线可与第一信号线相交，并且可与第一信号线电分离。

在实施方式中，薄膜晶体管可包括设置在基底层上的半导体图案；控制电极；输入电极和输出电极。当在平面图中观察时，控制电极可与半导体图案重叠。控制电极和第一信号线可设置在相同的层上。输入电极和输出电极可电连接至半导体图案。输入电极、输出电极和第二信号线可设置在相同的层上。控制电极、输入电极和输出电极中的每一个可包括导电层和封盖层，所述封盖层可设置在导电层上。

在实施方式中，显示元件可为液晶显示元件。

在实施方式中，显示装置可进一步包括输入感测单元，所述输入感测单元可设置在显示元件上。输入感测单元可包括输入感测电极和输入感测线。输入感测电极和输入感测线中的每一个可包括导电层和封盖层，所述封盖层可设置在导电层上并且可包括氮化钒(VN)和氧化锌(ZnO)。