[发明专利]用于高电压容限电路的静电保护结构在审
| 申请号： | 202010678844.7 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN112038337A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 单毅;徐文斐 | 申请（专利权）人： | 上海遨申电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 史俊军 |
| 地址： | 201303 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电压 容限 电路 静电 保护 结构 | ||
1.用于高电压容限电路的静电保护结构，其特征在于：包括若干SCR和若干第二NMOS管串；
所有SCR共阴极和共阳极，SCR内嵌有第一NMOS管串，第一NMOS管串的源极连接阴极，第一NMOS管串的漏极通过N阱连接阳极，第二NMOS管串的漏极连接阳极，第二NMOS管串的源极连接阴极，第一NMOS管串中最后一级NMOS管栅极连接阴极，第一NMOS管串中其余NMOS管栅极外接自身所能承受的控制电压，第二NMOS管串中最后一级NMOS管栅极通过电阻连接阴极，第二NMOS管串中其余NMOS管栅极外接自身所能承受的控制电压，所有SCR、第一NMOS管串的NMOS管和第二NMOS管串的NMOS管共P阱。
2.根据权利要求1所述的用于高电压容限电路的静电保护结构，其特征在于：所有SCR、第一NMOS管串和第二NMOS管串一体成型。
3.根据权利要求1所述的用于高电压容限电路的静电保护结构，其特征在于：第一NMOS管串中其余各NMOS管栅极分别连接电源或者用以输入控制电压的电路。
4.根据权利要求1所述的用于高电压容限电路的静电保护结构，其特征在于：第二NMOS管串中其余各NMOS管栅极分别连接电源或者用以输入控制电压的电路。
5.用于高电压容限电路的静电保护结构，其特征在于：包括多个并联的静电保护单元，
每个静电保护单元包括若干SCR和若干第二NMOS管串，每个静电保护单元中所有SCR共阴极和共阳极，SCR内嵌有第一NMOS管串，第一NMOS管串的源极连接阴极，第一NMOS管串的漏极通过N阱连接阳极，第二NMOS管串的漏极连接阳极，第二NMOS管串的源极连接阴极，第一NMOS管串中最后一级NMOS管栅极连接阴极，第一NMOS管串中其余NMOS管栅极外接自身所能承受的控制电压，第二NMOS管串中最后一级NMOS管栅极通过电阻连接阴极，第二NMOS管串中其余NMOS管栅极外接自身所能承受的控制电压，每个静电保护单元中所有SCR、第一NMOS管串的NMOS管和第二NMOS管串的NMOS管共P阱。
6.根据权利要求5所述的用于高电压容限电路的静电保护结构，其特征在于：所有静电保护单元一体成型，若干静电保护单元两两组成静电保护单元对，静电保护单元对共P阱。
7.根据权利要求5所述的用于高电压容限电路的静电保护结构，其特征在于：第一NMOS管串中其余各NMOS管栅极分别连接电源或者用以输入控制电压的电路。
8.根据权利要求5所述的用于高电压容限电路的静电保护结构，其特征在于：第二NMOS管串中其余各NMOS管栅极分别连接电源或者用以输入控制电压的电路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
