[发明专利]封装基板制作方法在审
| 申请号： | 202010679169.X | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111564374A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈先明;冯磊;黄本霞;冯进东;王闻师 | 申请（专利权）人： | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张志辉 |
| 地址： | 519175 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 制作方法 | ||
1.一种封装基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供承载板，在所述承载板上制作第一线路层的图案，沉积金属，形成第一线路层；
在所述第一线路层上表面制作空腔图案，沉积并刻蚀金属形成金属腔体，在所述金属腔体表面压合介质层并减薄，露出所述金属腔体上表面；
去除所述承载板，刻蚀掉所述金属腔体露出空腔，在所述空腔表面和侧壁以及介质层表面沉积金属并进行图案制作和刻蚀，形成第二线路层；
分别在所述第一线路层和所述第二线路层表面对应形成第一阻焊层和第二阻焊层并对所述第一阻焊层或所述第二阻焊层进行图案制作形成焊盘；
切割所述空腔、所述第一线路层、所述第二线路层、所述第一阻焊层和所述第二阻焊层。
2.根据权利要求1所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述沉积金属包括依次沉积金属种子层和沉积线路层。
3.根据权利要求2所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述金属种子层材料包括金属钛和金属铜。
4.根据权利要求1所述的封装基板制作方法，其特征在于，还包括形成保护层，所述保护层设置在所述线路层和所述焊盘表面。
5.根据权利要求4所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述保护层材料包括镍钯金、镍金、锡、银、有机保焊膜。
6.根据权利要求1所述的封装基板制作方法，其特征在于，沉积金属的方式包括以下至少之一：
通过物理溅射进行金属沉积；
通过化学电镀进行金属沉积。
7.一种封装基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供承载板，在所述承载板上制作第一线路层的图案，沉积金属，形成第一线路层；
在所述第一线路层上表面层压介质层，对所述介质层进行钻孔，形成空腔；
去除所述承载板，在所述空腔表面和侧壁以及介质层表面沉积金属并进行图案制作和刻蚀，形成第二线路层；
分别在所述第一线路层和所述第二线路层表面对应形成第一阻焊层和第二阻焊层并对所述第一阻焊层或所述第二阻焊层进行图案制作形成焊盘；
切割所述空腔、所述第一线路层、所述第二线路层、所述第一阻焊层和所述第二阻焊层。
8.根据权利要求7所述的封装基板制作方法，其特征在于，采用激光钻孔的方式对所述介质层进行钻孔。
9.根据权利要求7所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述介质层材料包括半固化片、薄膜型树脂和聚乙烯树脂。
10.根据权利要求9所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述介质层厚度在180um到250um之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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