[发明专利]一种采用格氏试剂钝化量子点的方法

权利要求书

1.一种采用格氏试剂钝化量子点的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在油溶性量子点溶液加入格氏试剂并搅拌，搅拌后添加沉淀剂使量子点沉淀，分离得到钝化后的量子点；

其中，格氏试剂为RMgX，其中，R表示烷烃基；X表示卤素；

所述格氏试剂与所述量子点摩尔质量比为（0.01～1mmol）：100mg；

所述油溶性量子点表面的配体选自油酸、油胺、辛胺、三辛基磷、三辛基氧磷、十八烷基磷酸和十四烷基磷酸中的一种或者几种的组合；

所述烷烃基为CH₃-(CH₂)_n-，其中，n的取值为1～18的整数。

2.根据权利要求1所述的采用格氏试剂钝化量子点的方法，其特征在于，所述油溶性量子点包括II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和IV族单质中的一种或几种的组合。

3.根据权利要求1所述的采用格氏试剂钝化量子点的方法，其特征在于，所述量子点的发光层材料包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其它二元、三元、四元的II-VI族化合物。

4.根据权利要求1所述的采用格氏试剂钝化量子点的方法，其特征在于，所述量子点的发光层材料包括GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的采用格氏试剂钝化量子点的方法，其特征在于，所述油溶性量子点为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体，和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体。

6.根据权利要求5所述的采用格氏试剂钝化量子点的方法，其特征在于，所述的无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX₃，其中A为Cs⁺离子，M为二价金属阳离子，M为Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺，X为卤素阴离子，X为Cl^-、Br^-、I^-。

7.根据权利要求5所述的采用格氏试剂钝化量子点的方法，其特征在于，所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX₃，其中B为有机胺阳离子，为CH₃(CH₂)_m-2NH³⁺，m≥2或NH₃(CH₂)_kNH₃²⁺，k≥2。

8.根据权利要求1所述的采用格氏试剂钝化量子点的方法，其特征在于，所述格氏试剂与所述量子点摩尔质量比为（0.1～0.8mmol）：100mg。

9.根据权利要求1所述的采用格氏试剂钝化量子点的方法，其特征在于，在油溶性量子点混合溶液中滴加格氏试剂并搅拌的步骤中，反应体系的温度为20～320℃；

所述滴加的时间为5～120min；

所述滴加在惰性气氛中进行。

10.根据权利要求1所述的采用格氏试剂钝化量子点的方法，其特征在于，所述沉淀剂由有机酯类试剂和极性试剂组成。