[发明专利]一种采用格氏试剂钝化量子点的方法

说明书

本发明提供了一种采用格氏试剂钝化量子点的方法，利用格氏试剂对油溶性量子点进行钝化后，格氏试剂中的卤素会与量子点表面的有机配体发生交换，有效钝化量子点表面、提高量子点稳定性；格氏试剂中的金属镁也会钝化量子点表面的阳离子空位，进一步增强量子点稳定性，同时烷烃基也会附着在量子点表面提高提高量子点的溶解性。

技术领域

本发明涉及量子点合成技术领域，具体而言，涉及一种采用格氏试剂钝化量子点的方法。

背景技术

量子点作为最具潜力的纳米材料，引领着科技潮流。无论是合成方法还是其相应的应用上，量子点合成技术的发展始终离不开一个目的，即最大限度地提高量子点的优异性能，如：量子点的荧光强度、半峰宽、稳定性等。

量子点的稳定性是评价量子点体系的重要参数之一，量子点的稳定性差会严重影响量子点的应用范围。因此，技术人员在量子点的稳定性优化提升上做了很多的研究工作，比如制备核壳结构的量子点；利用对应阴阳离子的表面修饰剂来钝化量子点的表面缺陷；利用二氧化硅包覆量子点等手段来改善量子点的稳定性。然而这些钝化手段都不能长效地提高量子点的荧光强度和稳定性。特别是当量子点用于极端条件的特殊领域时(量子点的热稳定性、光稳定性、电学稳定性要求都非常高)，这些常规的钝化方法得到的量子点远不能满足要求。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种采用格氏试剂钝化量子点的方法，利用格氏试剂对油溶性量子点进行钝化后，格氏试剂中的卤素会与量子点表面的有机配体发生交换，有效钝化量子点表面、提高量子点稳定性；格氏试剂中的金属镁也会钝化量子点表面的阳离子空位，进一步增强量子点稳定性，同时烷烃基也会附着在量子点表面提高提高量子点的溶解性。

本发明的第二目的在于提供一种采用格氏试剂钝化后的量子点，该量子点具有很好的稳定性，同时能够有效增强量子点的抗氧化能力和溶解性。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

一种采用格氏试剂钝化量子点的方法，包括以下步骤：

在油溶性量子点溶液加入格氏试剂并搅拌，搅拌后添加沉淀剂使量子点沉淀，分离得到钝化后的量子点；

其中，格氏试剂为RMgX，其中，R表示烷烃基；X表示卤素。

格氏试剂(RMgX，其中R为烷基，X为卤素)是共价化合物，镁原子直接与碳相连形成极性共价键，碳为负电性端，呈现出金属Mg具有较高的活性；因此格氏试剂相比于金属卤化镁活泼性较强，同时格氏试剂中的卤素相比于金属卤化镁中的相同卤素比较容易脱落。

本申请首先采用常规的制备方法制备一种量子点，再利用格氏试剂对油溶性量子点进行钝化后，格氏试剂中的卤素(X)会与量子点表面的有机配体发生交换有效钝化量子点表面提高量子点稳定性；格氏试剂中的金属镁(Mg)也会钝化量子点表面的阳离子空位进一步增强量子点稳定性，同时烷烃基(R)也会附着在量子点表面提高提高量子点的溶解性。

在本发明的具体实施方式中，所述油溶性量子点包括但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和IV族单质中的一种或几种的组合。

在本发明的具体实施方式中，所述量子点包括但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其它二元、三元、四元的II-VI族化合物；

更优选的，所述量子点包括但不限于GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物中的一种或多种。

在本发明的具体实施方式中，所述油溶性量子点为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体，和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；