[发明专利]太阳能电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，于所述基底的第一表面依次形成第一本征层和背场；

对所述背场的预定位置进行腐蚀，以于所述背场内形成凹槽，所述凹槽沿厚度方向贯穿所述背场以暴露出所述第一本征层的表面；

于所述凹槽内和所述背场表面形成发射极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述背场的预定位置进行腐蚀包括：

在所述背场的预定位置处印刷腐蚀浆料；

将印刷有腐蚀浆料的所述基底加热，通过控制腐蚀温度控制所述腐蚀速率，以使所述腐蚀浆料与所述背场反应并在所述预定位置处形成凹槽；

清洗并烘干太阳能电池结构。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述腐蚀速率与腐蚀温度正相关，所述腐蚀温度为25℃～160℃，腐蚀时间为10s～600s，腐蚀速率为0.5nm/min～20nm/min。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：控制腐蚀浆料的用量控制所述腐蚀深度。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述腐蚀浆料包括磷酸、焦磷酸、氯化铁、草酸、甲酸、酒石酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、乙酸的一种或多种。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述背场的预定位置处进行腐蚀之前包括：

采用摄像装置精确定位所述背场的所述预定位置，所述摄像装置的定位偏差为±6μm。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，于所述基底的第一表面依次形成第一本征层和背场之前还包括：

于所述基底背离所述第一表面的第二表面上依次形成第二本征层和减反射膜层。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，于所述凹槽内和所述背场表面形成发射极之后还包括：

于所述发射极表面形成透明导电层；

刻蚀所述透明导电层形成相互分离的正负电极。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一本征层包括非晶硅基材料层，所述非晶硅基材料层的厚度为4nm～12nm。

10.一种太阳能电池结构，其特征在于，其通过权利要求1-9中任一项所述的方法制备而成。