[发明专利]太阳能电池结构及其制备方法

说明书

本发明涉及一种太阳能电池结构及其制备方法，包括：提供基底，于基底的第一表面依次形成第一本征层和背场；对背场的预定位置进行腐蚀，以于背场内形成凹槽，凹槽沿厚度方向贯穿背场以暴露出第一本征层的表面；于凹槽内和背场表面形成发射极。上述太阳能电池结构及其制备方法，通过在基底的第一表面上依次形成第一本征层和背场，并采用腐蚀的方式在背场的预定位置处进行腐蚀形成凹槽，通过控制腐蚀速率，使得腐蚀浆料仅能腐蚀背场，并停止于第一本征层的表面，然后在凹槽内和背场表面形成发射极，从而避免了采用掩膜板沉积形成发射极和背场时由于硅片存在的公差导致的掩膜板对位不准，提高了太阳能电池结构的精度。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种太阳能电池结构及其制备方法。

背景技术

太阳能电池为将太阳光直接转换成电能的光伏(photovoltaic，PV)器件，电能被送往蓄电中存储起来，或直接用于推动负载工作。光伏太阳能电池的质量将直接决定整个太阳能发电系统的质量。

为了进一步提升太阳能电池的光电转换效率，消除正面栅线对入射太阳光的遮挡，IBC(Interdigitated back contact solar cell，叉指状背接触)技术和HIT(hetero-junction with intrinsic thin-layer，异质结)结合的HBC(Heterojunction backcontact，背接触异质结)技术成为业界研究的热点。其中HBC电池的实验室转换效率达到了26.7％的水平，是目前单结晶体硅电池的世界记录。在实验室技术中，常采用掩膜的方式包括光刻胶掩膜和掩膜板掩膜。光刻胶掩膜由于工艺流程复杂、生产成本高昂，无法应用于大规模量产。掩膜板掩膜的方式如下：首先将掩膜板与硅片对位并放置于硅片上，然后采用化学气相沉积的方式沉积形成背场，移除掩膜板后即可得到具有预设图形的背场。但发明人在实现传统技术的过程中发现，硅片存在公差(±0.25mm)，晶圆载盘和自动化放片也存在公差，导致掩膜板在与硅片对位时存在对位不准的问题，进而可能降低太阳能电池的产品良率。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术中的掩膜板与硅片对位不准导致太阳能电池产品良率低的问题提供一种太阳能电池结构及其制备方法。

为了实现上述目的，本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括：

提供基底，于所述基底的第一表面依次形成第一本征层和背场；

对所述背场的预定位置进行腐蚀，以于所述背场内形成凹槽，所述凹槽沿厚度方向贯穿所述背场以暴露出所述第一本征层的表面；

于所述凹槽内和所述背场表面形成发射极。

在一个实施例中，对所述背场的预定位置进行腐蚀包括：

在所述背场的预定位置处印刷腐蚀浆料；

将印刷有腐蚀浆料的所述基底加热，通过控制腐蚀温度控制所述腐蚀速率，以使所述腐蚀浆料与所述背场反应并在所述预定位置处形成凹槽；

清洗并烘干太阳能电池结构。

在一个实施例中，所述腐蚀速率与腐蚀温度正相关，所述腐蚀温度为25℃～160℃，腐蚀时间为10s～600s，腐蚀速率为0.5nm/min～20nm/min

在一个实施例中，所述方法还包括：控制腐蚀浆料的用量控制所述腐蚀深度。

在一个实施例中，所述腐蚀浆料包括磷酸、焦磷酸、氯化铁、草酸、甲酸、酒石酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、乙酸的一种或多种。

在一个实施例中，在所述背场的预定位置处进行腐蚀之前包括：

采用摄像装置精确定位所述背场的所述预定位置，所述摄像装置的定位偏差为±6μm。