[发明专利]储片盒吹扫组件和储片盒装置在审
申请号: | 202010680998.X | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN111681977A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 孙晋博 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 储片盒吹扫 组件 盒装 | ||
本发明提供一种储片盒吹扫组件,用于对储片盒进行吹扫,储片盒吹扫组件包括壳体,该壳体上形成有用于输入吹扫气体的进气口和多个用于向储片盒输出吹扫气体的出气口,其中,每个出气口的出气面积可调。在本发明提供的储片盒吹扫组件中,多个出气口的出气面积可调,可通过调节各个出气口的出气面积,消除出气口所吹出气流流速之间的差异,使得储片盒各高度位置的气流流速相等,从而缓解晶片表面的颗粒污染,提高储片盒出气体的去除效率。本发明还提供一种储片盒装置。
技术领域
本发明涉及半导体设备领域,具体地,涉及一种储片盒吹扫组件和一种储片盒装置。
背景技术
在半导体工艺过程中,为保证晶片在运输过程中保持洁净状态,晶片通常密封装载在储片盒中,在进行相应工艺前,开门机构将储片盒的密封盖打开,由机械手将晶片从储片盒中取出,放置到晶舟上,随后晶片随晶舟升入反应腔室中。为避免储片盒中的气体影响反应腔室中的反应气体组分,开门机构上通常设置有进气结构和排气结构,用于将储片盒中的气体替换为氮气等对反应腔室中反应气体组分影响较小的气体。
如图1、图2所示为现有技术中的一种进气结构多孔管1的进气方案示意图,多孔管1上具有进气孔和多个与该进气孔连通的出气孔。在开门机构将储片盒20的密封盖打开时,多孔管1上的多个出气孔沿储片盒与密封盖之间的缝隙向储片盒20中吹入氮气(如图1、图2中箭头所示方向即为理想的氮气流动方向)。然而,利用现有的多孔管1进行储片盒20吹扫时,晶片很容易在吹扫过程中发生污染,并且,储片盒20中原有气体(如氧气)的去除效率较低,影响机台整体运行效率。
因此,如何提供一种高效且有利于晶片保持洁净的储片盒吹扫组件,成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在提供一种储片盒吹扫组件和储片盒开启机构,该储片盒吹扫组件的吹扫效率高,且易于保持晶片清洁。
为实现上述目的,作为本发明的一个方面,提供一种储片盒吹扫组件,用于对储片盒进行吹扫,所述储片盒吹扫组件包括壳体,所述壳体上形成有用于输入吹扫气体的进气口和多个用于向所述储片盒输出所述吹扫气体的出气口,其中,每个所述出气口的出气面积可调。
优选地,所述储片盒吹扫组件还包括与所述出气口一一对应设置的多个调节件,所述调节件与所述壳体活动连接,且所述出气口的出气面积随其对应的所述调节件相对所述壳体运动而改变。
优选地,多个所述出气口在所述壳体上沿所述壳体的长度方向分布,且位于所述壳体两个端部的出气口的开口尺寸小于位于所述壳体两个端部之间的出气口的开口尺寸。
优选地,所述调节件包括柱状本体和贯穿所述柱状本体的调节孔,所述调节孔与所述柱状本体偏心设置,所述柱状本体与所述壳体活动连接,所述调节孔与所述出气口的重叠面积随所述柱状本体相对所述壳体运动而改变。
优选地,所述壳体上形成有多个回转槽,且多个所述回转槽与多个所述出气口一一对应,所述调节件设置在所述回转槽中,所述调节件能够在所述回转槽中转动。
优选地,所述储片盒吹扫组件还包括密封圈,所述密封圈位于所述柱状本体与所述回转槽的内壁之间。
优选地,所述柱状本体背离所述出气口的一侧形成有扭转槽,所述扭转槽用于插入扭转工具,以使得所述扭转工具能够通过所述扭转槽带动所述柱状本体转动。
优选地,所述扭转槽为内六角槽,所述扭转工具为内六角扳手。
优选地,所述进气口为两个,且两个所述进气口分别设置在所述壳体的两端。
作为本发明的第二个方面,提供一种储片盒装置,包括盒体和舱门,所述盒体上形成有开口,所述舱门用于封闭所述开口,所述储片盒装置还包括前面所述的储片盒吹扫组件,所述储片盒吹扫组件设置在所述盒体的内壁上,且用于在所述舱门开启时向所述盒体内吹入吹扫气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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