[发明专利]一种高传输率晶圆级扇出型封装方法及其结构

权利要求书

1.一种高传输率晶圆级扇出型封装方法，其特征在于，包括：

步骤1：将第一组元器件通过键合膜贴装在载具上，第一组元器件正面朝下；

步骤2：塑封第一组元器件并进行烘烤，拆除载具，清洗干净键合膜，对第一组元器件背面进行研磨；

步骤3：在第一组元器件正面涂覆感光树脂，在其金属端口处开孔，进行RDL重布线将金属端口引出；

步骤4：倒装焊接第二组元器件，塑封第二组元器件并减薄至露出第二组元器件；

步骤5：在第二组元器件背面涂覆感光树脂，在其金属端口处开孔并制作锡银凸点；塑封锡银凸点，进行研磨至露出锡银凸点；

步骤6：研磨第一组元器件背面，在表面涂覆感光树脂，在其金属端口处开孔，并制作焊盘将金属端口引出；

步骤7：在第一组元器件背面的焊盘处贴装第三组元器件，经过回流焊机后进行切割。

2.如权利要求1所述的高传输率晶圆级扇出型封装方法，其特征在于，所述键合膜为热解型的临时键合膜，其耐热温度为195～205℃。

3.如权利要求1所述的高传输率晶圆级扇出型封装方法，其特征在于，所述步骤2中塑封第一组元器件的塑封材料与圆片直径一样大；进行烘烤后有3～5mm的背面翘曲，以抵消后面的工艺会产生的正面翘曲。

4.如权利要求1所述的高传输率晶圆级扇出型封装方法，其特征在于，所述步骤4中塑封第二组元器件并减薄至露出第二组元器件包括：

用塑封材料塑封第二组元器件，其中塑封材料大于圆片直径将圆片全部覆盖，保证其完整性；

先对圆片进行烘烤再进行边缘切割，去除边缘多余的塑封材料；

减薄第二组元器件背面的塑封材料，至露出第二组元器件。

5.如权利要求1所述的高传输率晶圆级扇出型封装方法，其特征在于，所述步骤5中塑封锡银凸点，进行研磨至露出锡银凸点包括：

用塑封材料塑封锡银凸点，其中塑封材料小于圆片直径；

研磨塑封材料至露出锡银凸点。

6.如权利要求3-5任一项所述的高传输率晶圆级扇出型封装方法，其特征在于，所述塑封材料为环氧树脂。

7.一种高传输率晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，包括：

通过环氧树脂塑封的第一组元器件和第二组元器件，所述第一组元器件的正面和所述第二组元器件的正面相对，并通过RDL重布线连接；

所述第一组元器件背面通过焊盘与第三组元器件连接；

所述第二组元器件背面连接有锡银凸点，所述锡银凸点通过环氧树脂塑封。

8.如权利要求7所述的高传输率晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，所述第一组元器件包括功率器、驱动芯片和中介层一；所述第二组元器件包括主控芯片、中介层二。

9.如权利要求7所述的高传输率晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，所述第一组元器件的正面、背面和所述第二组元器件的背面均涂覆有感光树脂。