[发明专利]一种高传输率晶圆级扇出型封装方法及其结构

说明书

本发明公开一种高传输率晶圆级扇出型封装方法及其结构，属于电子封装技术领域。将第一组元器件通过键合膜贴装在载具上；塑封第一组元器件并进行烘烤，拆除载具，清洗干净键合膜，对第一组元器件背面进行研磨；在第一组元器件正面涂覆感光树脂，在其金属端口处开孔，进行RDL重布线将金属端口引出；倒装焊接第二组元器件，塑封第二组元器件并减薄至露出第二组元器件；在第二组元器件背面涂覆感光树脂，在其金属端口处开孔并制作锡银凸点；塑封锡银凸点，进行研磨至露出锡银凸点；研磨第一组元器件背面，在表面涂覆感光树脂，在其金属端口处开孔，并制作焊盘将金属端口引出；在第一组元器件背面的焊盘处贴装第三组元器件，经过回流焊机后进行切割。

技术领域

本发明涉及电子封装技术领域，特别涉及一种高传输率晶圆级扇出型封装方法及其结构。

背景技术

随着制造技术的不断突进和人们对于产品高速高效使用的体验需求，迫使电子产品朝着高集成度、高体验感和更低成本的方向发展。

近几年，高密度的扇出型封装正朝着更精细布线层的复杂结构发展，这些除了需要投入大量的人力资源以外，更需要高端昂贵的光刻设备和其他制程设备。

最新的扇出型封装技术正在突破1um线宽/线距的限制，这被行业认为是个里程碑。突破这一技术后，集成产品将获得更好的性能，但是要突破，还要面临着制造和技术的调整，目前只有少数产品客户会有这样的需求。

集成电路发展的同时，催生了对SIP(SystemInaPackage，系统级封装)技术需求。近些年，SIP在利用已有电子封装和组装工艺中，组合多种集成电路，降低了系统开发难度，具有成本低，开发周期短，系统优良等特点。但SIP的技术仍处在行业技术的中后段，未来对于SIP的需求将是长久持续的，SIP技术将有很大的提升空间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高传输率晶圆级扇出型封装方法及其结构，以提高SIP系统封装的积成度和产品的传输速度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种高传输率晶圆级扇出型封装方法，包括：

步骤1：将第一组元器件通过键合膜贴装在载具上，第一组元器件正面朝下；

步骤2：塑封第一组元器件并进行烘烤，拆除载具，清洗干净键合膜，对第一组元器件背面进行研磨；

步骤3：在第一组元器件正面涂覆感光树脂，在其金属端口处开孔，进行RDL重布线将金属端口引出；

步骤4：倒装焊接第二组元器件，塑封第二组元器件并减薄至露出第二组元器件；

步骤5：在第二组元器件背面涂覆感光树脂，在其金属端口处开孔并制作锡银凸点；塑封锡银凸点，进行研磨至露出锡银凸点；

步骤6：研磨第一组元器件背面，在表面涂覆感光树脂，在其金属端口处开孔，并制作焊盘将金属端口引出；

步骤7：在第一组元器件背面的焊盘处贴装第三组元器件，经过回流焊机后进行切割。

可选的，所述键合膜为热解型的临时键合膜，其耐热温度为195～205℃。

可选的，所述步骤2中塑封第一组元器件的塑封材料与圆片直径一样大；进行烘烤后有3～5mm的背面翘曲，以抵消后面的工艺会产生的正面翘曲。

可选的，所述步骤4中塑封第二组元器件并减薄至露出第二组元器件包括：

用塑封材料塑封第二组元器件，其中塑封材料大于圆片直径将圆片全部覆盖，保证其完整性；

先对圆片进行烘烤再进行边缘切割，去除边缘多余的塑封材料；

减薄第二组元器件背面的塑封材料，至露出第二组元器件。