[发明专利]显示面板

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括基底、以及间隔设置于所述基底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管包括位于所述基底上的多晶硅半导体层、位于所述多晶硅半导体层上方的第一栅极、及分别与所述多晶硅半导体层连接的第一源极和第一漏极；

所述第二薄膜晶体管包括位于所述基底上方的氧化物半导体层、位于所述氧化物半导体层上方的第三栅极、及分别与所述氧化物半导体层连接的第二源极和第二漏极；

其中，所述氧化物半导体层与所述第三栅极之间设有与所述第三栅极位置相对应的第三栅极绝缘层，所述第三栅极绝缘层覆盖部分所述氧化物半导体层；

所述氧化物半导体层远离所述第三栅极一侧设有第一金属层，所述第一金属层与所述氧化物半导体层之间设有第一层间绝缘层，所述第一金属层远离所述氧化物半导体层的一侧设有第二栅极绝缘层，所述第一金属层包括与所述氧化物半导体层相对设置的第二栅极；

所述多晶硅半导体层和所述基底上设有第一栅极绝缘层，所述第一栅极设置于所述第一栅极绝缘层上，所述第一金属层还包括与所述第一栅极相对设置的电极板。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极绝缘层与所述第一金属层的位置相对应，所述第二栅极绝缘层包括与所述第二栅极位置相对应的第一绝缘子部，所述第一绝缘子部在所述基底上的正投影覆盖所述第二栅极在所述基底上的正投影。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极绝缘层还包括与所述电极板位置相对应的第二绝缘子部，其中，所述第二绝缘子部部分覆盖所述多晶硅半导体层，所述第二绝缘子部在所述基底上的正投影覆盖所述电极板在所述基底上的正投影。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第三栅极上设有第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层上设有第二金属层；

所述显示面板内设置有穿过所述第一栅极绝缘层、第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的第一过孔和第二过孔、以及穿过所述第二层间绝缘层的第三过孔和第四过孔，所述第二金属层穿过所述第一过孔和所述第二过孔与所述多晶硅半导体层连接形成所述第一源极和所述第一漏极且穿过所述第三过孔和所述第四过孔与所述氧化物半导体层连接形成所述第二源极和第二漏极。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和与所述显示区相邻的绑定区，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设置于所述显示区内；

所述第一金属层还包括位于所述绑定区内的第一金属走线，所述第二金属层还包括位于所述绑定区内的第二金属走线，所述第一金属走线上方设有依次穿过所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的第五过孔，所述第二金属走线穿过所述第五过孔与所述第一金属走线连接。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极绝缘层与所述第一金属层的图案相同，且所述第二栅极绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述第一金属层在所述基底上的正投影。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第三栅极绝缘层与所述第三栅极的图案相同，且所述第三栅极绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述第三栅极在所述基底上的正投影。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述氧化物半导体层包括与所述第三栅极位置相对应的有源段、及分别位于所述有源段两端的两导体段，所述第三栅极绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述有源段在所述基底上的正投影。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二源极和所述第二漏极分别与两所述导体段连接，所述导体段的走线电阻为500欧姆～1200欧姆，所述导体段与所述第二源极或与所述第二漏极的接触阻抗为700欧姆～1800欧姆。

10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，在层级结构视角下，所述第三栅极绝缘层位于所述第二源极与所述第二漏极之间的沟道区内。

11.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第三栅极绝缘层的宽度比所述第三栅极的宽度大0.2um～1.2um。