[发明专利]用于存储器单元的感测技术

权利要求书

1.一种方法，其包括：

耦合呈源极跟随器配置的晶体管的栅极与存储器单元以将第一电压施加于所述晶体管的所述栅极；

在耦合所述栅极与所述存储器单元之后，至少部分基于与所述晶体管相关联的寄生电容将所述晶体管的第一节点增大到第二电压；

至少部分基于将所述第一节点增大到所述第二电压来隔离锁存器与所述晶体管的所述第一节点；

在所述锁存器的节点处至少部分基于隔离所述锁存器与所述第一节点来将所述第二电压调整到第三电压；及

至少部分基于将所述第二电压调整到所述第三电压来确定由所述存储器单元存储的逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

至少部分基于与所述晶体管相关联的所述寄生电容执行所述第一电压的信号集成，其中将所述晶体管的所述第一节点增大到所述第二电压是至少部分基于执行所述信号集成。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

至少部分基于耦合所述晶体管的所述栅极与所述存储器单元来耦合所述晶体管的第二节点与电压源，其中将所述第一节点增大到所述第二电压是至少部分基于耦合所述第二节点与所述电压源。

4.根据权利要求3所述的方法，其中耦合所述晶体管的所述第二节点与所述电压源进一步包括：

激活与所述电压源及所述晶体管的所述第二节点耦合的第二晶体管。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

至少部分基于隔离所述锁存器与所述第一节点来将信号施加于包含与所述锁存器的所述节点耦合的第二板的电容器的第一板，其中将所述第二电压调整到所述第三电压是至少部分基于施加所述信号。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

耦合呈源极跟随器配置的第二晶体管的栅极与参考电压源以将第一参考电压施加于所述第二晶体管的所述栅极；

至少部分基于耦合所述第二晶体管的所述栅极与所述参考电压源，至少部分基于与所述第二晶体管相关联的寄生电容将所述第二晶体管的第一节点增大到第二参考电压；

至少部分基于将所述第二晶体管的所述第一节点增大到所述第二参考电压来隔离所述锁存器与所述第二晶体管的所述第一节点；及

在所述锁存器的第二节点处至少部分基于隔离所述锁存器与所述第二晶体管的所述第一节点来将所述第二参考电压调整到第三参考电压。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：

比较所述第三电压与所述第三参考电压，其中确定由所述存储器单元存储的所述逻辑状态是至少部分基于比较所述第三电压与所述第三参考电压。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

激活所述存储器单元的共源共栅，其中耦合所述栅极与所述存储器单元是至少部分基于激活所述共源共栅。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

将激活电压施加于所述存储器单元的字线，其中耦合所述栅极与所述存储器单元是至少部分基于将所述激活电压施加于所述字线。

10.一种设备，其包括：

存储器单元；

晶体管，其呈源极跟随器配置且能与所述存储器单元选择性地耦合，所述晶体管包括用于增大从所述存储器单元接收到的信号的电压的寄生电容；

锁存器，其能与所述晶体管选择性地耦合且经配置以确定由所述存储器单元存储的逻辑状态；及

电容器，其与所述锁存器耦合且能与所述晶体管选择性地耦合，所述电容器经配置以调整由所述晶体管增大的所述电压。

11.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括：

电压源，其能与所述晶体管的第二节点选择性地耦合，其中所述晶体管的所述寄生电容至少部分基于选择性地耦合所述电压源与所述晶体管的所述第二节点来增大所述电压。