[发明专利]使用数据结构来估计读取电平阈值在审
申请号: | 202010685243.9 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN112242170A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | M·舍佩雷克;L·J·考德莱;B·A·利卡宁 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/34 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 数据结构 估计 读取 电平 阈值 | ||
1.一种系统,其包括:
存储器组件;以及
处理装置,所述处理装置可操作地与所述存储器组件耦合,以:
在多个读取电平阈值中的第一读取电平阈值执行第一样本操作,以获得与位于在所述存储器组件的编程分布之间的谷关联的第一读取样本;
在所述多个读取电平阈值中的第二读取电平阈值执行第二样本操作,以获得与所述谷关联的第二读取样本;
确定与所述第一读取样本关联的第一错误计数和与所述第二读取样本关联的第二错误计数,其中多个错误计数包括所述第一错误计数和所述第二错误计数;
考虑到所述多个读取电平阈值和所述多个错误计数,生成标识所述谷的形状的直方图;以及
使用所述直方图来估计所述多个读取电平阈值中的第三读取电平阈值,其中所述第三读取电平阈值被用来在所述存储器组件处执行读取操作。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述直方图标识在与所述存储器组件的多个逻辑页面类型中的某个逻辑页面类型关联的所述谷处的所述多个读取电平阈值,并且对于所述多个读取电平阈值中的每一个,所述直方图关联所述多个错误计数中的对应一个。
3.根据权利要求1所述的系统,其中为使用所述直方图来估计所述多个读取电平阈值中的所述第三读取电平阈值,所述处理装置将:
确定所述直方图的最小值,其中所述最小值指示与所述直方图的所述多个错误计数之中的最低错误计数关联的所述第三读取电平阈值。
4.根据权利要求3所述的系统,其中为使用所述直方图来估计所述多个读取电平阈值中的所述第三读取电平阈值,所述处理装置将:
考虑到与所述直方图关联的条件,从多个估计器类型中选择估计器类型,其中使用所选择的估计器类型来确定所述直方图的所述最小值,其中所述条件包括所述谷的形状类型。
5.根据权利要求1所述的系统,所述处理装置进一步将:
使用所述第三读取电平阈值在所述存储器组件处执行所述读取操作。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一错误计数指示在所述第一读取电平阈值处的所述第一样本操作的所述第一读取样本之中的位错误的数量,并且其中所述第二错误计数指示在所述第二读取电平阈值处的所述第二样本操作的所述第二读取样本之中的位错误的数量。
7.根据权利要求1所述的系统,所述处理装置将:
从与所述谷关联的所述多个读取电平阈值中选择所述第一读取电平阈值和所述第二读取电平阈值;以及
从所述存储器组件的多个数据块中选择数据块,其中在所述数据块处执行所述第一样本操作和所述第二样本操作。
8.根据权利要求7所述的系统,其中为从所述存储器组件的所述多个数据块中选择所述数据块,所述处理装置进一步将:
从所述存储器组件的所述多个数据块中随机选择所述数据块。
9.根据权利要求1所述的系统,所述处理装置进一步将:
确定与所述直方图关联的事件的发生;以及
响应于确定与所述直方图关联的所述事件的所述发生,将所述直方图重置到初始状态。
10.一种系统,其包括:
存储器组件;以及
处理装置,所述处理装置可操作地与所述存储器组件耦合,以:
生成标识位于所述存储器组件的编程分布之间的区域的形状的数据结构,其中所述数据结构标识在与所述存储器组件的多个逻辑页面类型中的某个逻辑页面类型关联的所述区域处的多个读取电平阈值,并且对于所述多个读取电平阈值中的每一个,所述数据结构关联多个错误计数中的相应错误计数;
使用所述数据结构来估计所述多个读取电平阈值中的读取电平阈值;以及
使用所述读取电平阈值在所述存储器组件处执行读取操作,所述读取电平阈值使用所述数据结构来标识。
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