[发明专利]使用数据结构来估计读取电平阈值

说明书

本申请涉及使用数据结构来估计读取电平阈值。数据结构被生成，其标识位于存储器组件的编程分布之间的谷的形状。所述数据结构标识在与所述存储器组件的逻辑页面类型关联的所述谷处的读取电平阈值。对于所述读取电平阈值中的每一个，所述数据结构关联相应的错误计数。使用所述数据结构估计读取电平阈值。使用所述读取电平阈值在所述存储器组件执行读取操作，所述读取电平阈值使用数据结构来标识。

技术领域

本公开的实施例总体上涉及存储器子系统，并且更具体地说，涉及使用诸如直方图的数据结构来估计用于存储器子系统的存储器组件的读取电平阈值。

背景技术

存储器子系统能够是存储系统、存储器模块或存储装置和存储器模块的混合。存储器子系统能够包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件能够是例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说，主机系统能够利用存储器子系统以在存储器组件存储数据和从存储器组件检索数据。

发明内容

本申请的一个实施例提供一种系统，其包括：存储器组件；以及处理装置，该处理装置可操作地与该存储器组件耦合，以：在多个读取电平阈值中的第一读取电平阈值处执行第一样本操作，以获得与位于在该存储器组件的编程分布之间的谷关联的第一读取样本；在多个读取电平阈值中的第二读取电平阈值处执行第二样本操作，以获得与该谷关联的第二读取样本；确定与第一读取样本关联的第一错误计数和与第二读取样本关联的第二错误计数，其中多个错误计数包括第一错误计数和第二错误计数；考虑到多个读取电平阈值和多个错误计数，生成标识该谷的形状的直方图；以及使用该直方图来估计多个读取电平阈值中的第三读取电平阈值，其中第三读取电平阈值被用来在该存储器组件处执行读取操作。

本申请的另一实施例提供一种系统，其包括：存储器组件；以及处理装置，该处理装置可操作地与该存储器组件耦合，以：生成标识位于该存储器组件的编程分布之间的区域的形状的数据结构，其中该数据结构标识在与该存储器组件的多个逻辑页面类型中的某个逻辑页面类型关联的该区域处的多个读取电平阈值，并且对于多个读取电平阈值中的每一个，该数据结构关联多个错误计数中的相应错误计数；使用该数据结构来估计多个读取电平阈值中的读取电平阈值；以及使用读取电平阈值在该存储器组件处执行读取操作，该读取电平阈值使用该数据结构来标识。

本申请的又一实施例提供一种方法，其包括：在多个读取电平阈值中的第一读取电平阈值处执行第一样本操作，以获得与位于在该存储器组件的编程分布之间的谷关联的第一读取样本；在多个读取电平阈值中的第二读取电平阈值处执行第二样本操作，以获得与该谷关联的第二读取样本；确定与第一读取样本关联的第一错误计数和与第二读取样本关联的第二错误计数，其中多个错误计数包括第一错误计数和第二错误计数；考虑到多个读取电平阈值和多个错误计数，生成标识该谷的形状的直方图；以及使用该直方图来估计多个读取电平阈值中的第三读取电平阈值，其中第三读取电平阈值被用来在该存储器组件处执行读取操作。

附图说明

从下面给出的详细描述中和从本公开的各种实施例的附图中，将更全面地理解本公开。

图1图示了根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的示例计算环境。

图2A是根据本公开的一些实施例的用于使用直方图来估计读取电平阈值的示例方法的流程图。

图2B是根据本公开的一些实施例的用于使用数据结构来估计读取电平阈值的示例方法的流程图。

图3A-3B图示了根据本公开的一些实施例的在两个相邻编程分布之间的两个读取电平阈值。

图4图示了根据本公开的一些实施例的八个编程分布，包含在根据PT操作调整PV目标中的至少两个之后的两个编程分布。

图5A图示了根据本公开的实施例的图表，示出了估计与逻辑页面类型关联的谷(valley)的形状的直方图。