[发明专利]一种新型节能半导体石墨热场在审
申请号: | 202010685918.X | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN111926383A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 武建军;张培林;柴利春;张作文;王志辉 | 申请(专利权)人: | 大同新成新材料股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14 |
代理公司: | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人: | 杨凯;连慧敏 |
地址: | 037002 *** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 节能 半导体 石墨 | ||
本发明公开了一种新型节能半导体石墨热场,包括外壳,所述外壳内部底部的中间位置设置有电动升降杆,所述电动升降杆的顶部设置有底座,所述底座的顶部设置有坩埚,所述坩埚的外侧设置有多组吸热片,所述外壳内侧的中间位置处设置有保温筒,所述保温筒的内侧设置有石墨软毡保温层,所述外壳内部一端两侧的中间位置对称设置有加热管,所述外壳一侧底部的中间位置设置有抽气泵,所述抽气泵的输入端设置有通气管,且通气管的一侧延伸至外壳的内部;本发明装置石墨毡保温层具有良好的保温作用,能够耐高温,是单晶炉内主要的保温结构,然而石墨毡本身在高温条件下容易发生氧化,且易碎。
技术领域
本发明涉及石墨热场技术领域,具体为一种新型节能半导体石墨热场。
背景技术
热场就是热系统,在机械中一般指单晶炉热场,就是单晶炉中的热系统,单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备,而石墨热场简单的说就是用来拉单晶硅的整套石墨加热系统;
现有装置存有以下几点不足:
1、石墨毡保温层具有良好的保温作用,能够耐高温,是单晶炉内主要的保温结构,然而石墨毡本身在高温条件下容易发生氧化,且易碎,为了加快单晶硅的生产速率,通常情况下停机后即通入空气进行冷却,达到安全温度后立即进行拆炉,取出单晶硅,此种方式极易造成单晶炉内部石墨毡保温层的氧化,降低了单晶炉使用寿命。
2、已使用过的坩埚,多采用人力将坩埚取出,拉晶结束后取出石墨坩埚时,如果是小型的热场,即使采用人力也不算费力,但是如果是大型热场,采用人力会非常的困难。
3、加热管对坩埚内部加热,通常需要大量的时间,这样大大的降低了生产的效率,同时浪费了大量的电力,大大加大了加工的成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型节能半导体石墨热场,以解决上述背景技术中提出石墨毡保温层具有良好的保温作用,能够耐高温,是单晶炉内主要的保温结构,然而石墨毡本身在高温条件下容易发生氧化,且易碎,为了加快单晶硅的生产速率,通常情况下停机后即通入空气进行冷却,达到安全温度后立即进行拆炉,取出单晶硅,此种方式极易造成单晶炉内部石墨毡保温层的氧化,降低了单晶炉使用寿命;已使用过的坩埚,多采用人力将坩埚取出,拉晶结束后取出石墨坩埚时,如果是小型的热场,即使采用人力也不算费力,但是如果是大型热场,采用人力会非常的困难;加热管对坩埚内部加热,通常需要大量的时间,这样大大的降低了生产的效率,同时浪费了大量的电力,大大加大了加工的成本的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种新型节能半导体石墨热场,包括外壳,所述外壳内部底部的中间位置设置有电动升降杆,所述电动升降杆的顶部设置有底座,所述底座的顶部设置有坩埚,所述坩埚的外侧设置有多组吸热片,所述外壳内侧的中间位置处设置有保温筒,所述保温筒的内侧设置有石墨软毡保温层,所述外壳内部一端两侧的中间位置对称设置有加热管,所述外壳一侧底部的中间位置设置有抽气泵,所述抽气泵的输入端设置有通气管,且通气管的一侧延伸至外壳的内部,所述通气管外侧的中间位置设置有电磁阀,所述通气管远离抽气泵的一侧设置有气体导流管,所述电磁阀和气体导流管皆处于外壳的内部,所述抽气泵的输出端与外壳靠近通气管一侧顶部的中间位置之间设置有冷却管,所述外壳一侧一端的中间位置设置有安装板,所述安装板靠近冷却管的一端设置有散热风扇,所述外壳的顶部设置有盖板,所述盖板内侧的底部设置有保温板,所述保温板的内侧设置有导流筒,所述盖板一侧的中间位置设置有进气口。
优选的,所述外壳的顶部设置有卡环,所述盖板的底部设置有卡槽,且卡环与卡槽相适配。
优选的,所述抽气泵的正下方设置有安装板。
优选的,所述吸热片为铝合金材料。
优选的,所述导流筒内设置有仓体,其仓体内设置有保温棉。
优选的,所述冷却管有多个U型管组合成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大同新成新材料股份有限公司,未经大同新成新材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010685918.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。