[发明专利]主动元件基板及其制造方法

权利要求书

1.一种主动元件基板，其特征在于，包括：

一基板；

多条第一金属栅线，位于该基板上；

一第一透明导电层，包括多个覆盖层，覆盖部分该些第一金属栅线的侧壁，一扫描线以及连接该扫描线的一栅极，其中该扫描线及/或该栅极直接连接至少部分该些第一金属栅线；

一栅绝缘层，位于该第一透明导电层上；

一半导体层，位于该栅绝缘层上，且重叠于该栅极；以及

 一源极以及一漏极，电性连接该半导体层。

2.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，其中该栅极的厚度大于该扫描线的厚度。

3.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，其中更包括：

一像素电极，电性连接该漏极，其中该些第一金属栅线重叠于该像素电极、该扫描线以及该栅极。

4.如权利要求3所述的主动元件基板，其特征在于，其中该漏极、该源极以及该像素电极属于相同透明导电层。

5.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，其中该些第一金属栅线于该基板上的垂直投影的面积小于该第一透明导电层于该基板上的垂直投影的面积。

6.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：

一第二透明导电层，与该第一透明导电层具有相同图案，其中该些第一金属栅线位于该第一透明导电层与该第二透明导电层之间。

7.如权利要求6所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：

多条第二金属栅线，位于该基板上，其中该第二透明导电层位于该些第二金属栅线与该些第一金属栅线之间。

8.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：

一绝缘图案层，具有至少一通孔，其中至少部分该些第一金属栅线位于该通孔底下，且该第一透明导电层位于该通孔中。

9.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，其中各该第一金属栅线的线宽为25纳米至150纳米，且该扫描线与该栅极重叠于该些第一金属栅线的数量大于或等于10条。

10.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：

一遮蔽电极，位于该栅极与该栅绝缘层之间。

11.一种主动元件基板的制造方法，其特征在于，包括：

形成多条第一金属栅线于一基板上；

形成一绝缘图案层于该些第一金属栅线；

形成一第一透明材料层于该绝缘图案层上；

图案化该第一透明材料层以形成一第一透明导电层，其中该第一透明导电层包括多个覆盖层，覆盖部分该些第一金属栅线的侧壁，一扫描线以及连接该扫描线的一栅极；

形成一栅绝缘层于该第一透明导电层上；

形成一半导体层于该栅绝缘层上，且该半导体层重叠于该栅极；以及

形成一源极以及一漏极于该半导体层上。

12.如权利要求11所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，其中图案化该第一透明材料层的方法包括：

形成一光阻图案于该第一透明材料层上；

以该光阻图案为罩幕蚀刻该第一透明材料层，其中于垂直该基板的方向上重叠于该绝缘图案层的部分该第一透明材料层在蚀刻后被移除。

13.如权利要求11所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，其中形成该绝缘图案层的方法包括：

形成一绝缘材料层于该些第一金属栅线；以及

图案化该绝缘材料层，以形成露出至少部分该些第一金属栅线的该绝缘图案层。

14.如权利要求11所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一遮光材料层于该第一透明材料层上；

形成一光阻图案于该遮光材料层上；以及

以该光阻图案为罩幕蚀刻该遮光材料层以形成一遮蔽电极，并以该光阻图案为罩幕蚀刻该第一透明材料层以形成该第一透明导电层，其中该遮蔽电极重叠于该栅极。